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據(jù)美通社，臺(tái)媒稱(chēng)，臺(tái)積電2nm制程研發(fā)獲重大突破。區(qū)別于3nm與5nm采用鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）架構(gòu)，臺(tái)積電2nm改采用全新的多橋通道場(chǎng)效晶體管（MBCFET）架構(gòu)，此種架構(gòu)能解決FinFET因制程微縮產(chǎn)生電流控制漏電的物理極限問(wèn)題，研發(fā)進(jìn)度超前。 以臺(tái)積電2nm目前的研發(fā)進(jìn)度研判，供應(yīng)鏈預(yù)計(jì)臺(tái)積電2023年下半年可望進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)，2024年正式量產(chǎn)。有助于其未來(lái)持續(xù)拿下蘋(píng)果、輝達(dá)等大廠先進(jìn)制程大單。 |
