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臺積電2nm制程或2024年實現(xiàn)量產(chǎn)

發(fā)布時間：2020-9-24 10:20    發(fā)布者：eechina
關鍵詞： 臺積電 , 2nm
據(jù)美通社，臺媒稱，臺積電2nm制程研發(fā)獲重大突破。區(qū)別于3nm與5nm采用鰭式場效晶體管（FinFET）架構，臺積電2nm改采用全新的多橋通道場效晶體管（MBCFET）架構，此種架構能解決FinFET因制程微縮產(chǎn)生電流控制漏電的物理極限問題，研發(fā)進度超前。

以臺積電2nm目前的研發(fā)進度研判，供應鏈預計臺積電2023年下半年可望進入風險性試產(chǎn)，2024年正式量產(chǎn)。有助于其未來持續(xù)拿下蘋果、輝達等大廠先進制程大單。

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