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新華社報(bào)道，與中芯國(guó)際以及美國(guó)微芯科技公司有合作關(guān)系的中科院上海微系統(tǒng)及信息技術(shù)研究所，最近宣布成功開發(fā)出了基于中國(guó)自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)技術(shù)的相變隨機(jī)存取內(nèi)存技術(shù)(PCRAM)。這款存儲(chǔ)密度為8Mbit的PCRAM產(chǎn)品定于今年晚些時(shí)候投放量產(chǎn)，產(chǎn)品推出的目的是用于取代移動(dòng)設(shè)備及 RFID射頻識(shí)別卡中使用的NOR閃存。盡管這款PCRAM從存儲(chǔ)密度參數(shù)上看相比閃存解決方案并不是很突出，但新華社稱這款產(chǎn)品的推出對(duì)打破存儲(chǔ)芯片的制造權(quán)完全控制在國(guó)外廠商手上的局面具備非常意義，同時(shí)這款產(chǎn)品還應(yīng)用到了自主研發(fā)的近200項(xiàng)專利。 這款PCRAM產(chǎn)品是由中科院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所與中芯國(guó)際及美國(guó)微芯公司聯(lián)合制造生產(chǎn)，不過新華社并沒有就這款芯片的尺寸或所采用的制程技術(shù)方面做詳細(xì)報(bào)道，也沒有就這款產(chǎn)品具體何時(shí)有計(jì)劃量產(chǎn)這款產(chǎn)品，有無(wú)提升芯片存儲(chǔ)密度的計(jì)劃等進(jìn)行報(bào)道。 與NOR/NAND閃存類似，PCRAM相變內(nèi)存也屬于非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，同時(shí)還具備省電的優(yōu)點(diǎn)。相變內(nèi)存的工作原理，一般是利用由硫化玻璃材料制成的薄膜在通電發(fā)熱的條件下，材料的內(nèi)部結(jié)構(gòu)產(chǎn)生由非晶結(jié)構(gòu)向晶體結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變（即相變），導(dǎo)致薄膜材料電阻值發(fā)生變化的現(xiàn)象。盡管PCRAM技術(shù)從理論上講相比傳統(tǒng)的DRAM/閃存存在許多優(yōu)勢(shì)，但目前為止這項(xiàng)技術(shù)仍未能進(jìn)入主流范疇。 鎂光與三星兩家公司是目前市場(chǎng)上在PCRAM技術(shù)方面較為領(lǐng)先的兩家公司，其中三星已經(jīng)開發(fā)出了一款512Mbit密度，60-65nm制程的PCRAM芯片，目前這款產(chǎn)品已經(jīng)在三星自己的手機(jī)中應(yīng)用上。鎂光方面，則是通過收購(gòu)Numonyx而得到了這家公司開發(fā)出的128Mbit密度90nm制程PCRAM技術(shù)，不過Numonyx目前還在研制存儲(chǔ)密度為1Gbit的45nm制程PCRAM芯片產(chǎn)品。 目前我們只知道中科院上海微系統(tǒng)及信息技術(shù)研究所研制的這款PCRAM芯片是采用200mm尺寸晶圓制作而成的，不過其制程等級(jí)以及這款芯片是否同樣基于硫化玻璃材料技術(shù)則沒有詳細(xì)報(bào)道。 新華社還宣稱要力爭(zhēng)在10年內(nèi)讓60%的大陸本地用戶都用上國(guó)產(chǎn)的存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品。 |
