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新華社報道，與中芯國際以及美國微芯科技公司有合作關系的中科院上海微系統及信息技術研究所，最近宣布成功開發出了基于中國自主知識產權技術的相變隨機存取內存技術(PCRAM)。這款存儲密度為8Mbit的PCRAM產品定于今年晚些時候投放量產，產品推出的目的是用于取代移動設備及 RFID射頻識別卡中使用的NOR閃存。盡管這款PCRAM從存儲密度參數上看相比閃存解決方案并不是很突出，但新華社稱這款產品的推出對打破存儲芯片的制造權完全控制在國外廠商手上的局面具備非常意義，同時這款產品還應用到了自主研發的近200項專利。 這款PCRAM產品是由中科院上海微系統與信息技術研究所與中芯國際及美國微芯公司聯合制造生產，不過新華社并沒有就這款芯片的尺寸或所采用的制程技術方面做詳細報道，也沒有就這款產品具體何時有計劃量產這款產品，有無提升芯片存儲密度的計劃等進行報道。 與NOR/NAND閃存類似，PCRAM相變內存也屬于非易失性存儲技術，同時還具備省電的優點。相變內存的工作原理，一般是利用由硫化玻璃材料制成的薄膜在通電發熱的條件下，材料的內部結構產生由非晶結構向晶體結構轉變（即相變），導致薄膜材料電阻值發生變化的現象。盡管PCRAM技術從理論上講相比傳統的DRAM/閃存存在許多優勢，但目前為止這項技術仍未能進入主流范疇。 鎂光與三星兩家公司是目前市場上在PCRAM技術方面較為領先的兩家公司，其中三星已經開發出了一款512Mbit密度，60-65nm制程的PCRAM芯片，目前這款產品已經在三星自己的手機中應用上。鎂光方面，則是通過收購Numonyx而得到了這家公司開發出的128Mbit密度90nm制程PCRAM技術，不過Numonyx目前還在研制存儲密度為1Gbit的45nm制程PCRAM芯片產品。 目前我們只知道中科院上海微系統及信息技術研究所研制的這款PCRAM芯片是采用200mm尺寸晶圓制作而成的，不過其制程等級以及這款芯片是否同樣基于硫化玻璃材料技術則沒有詳細報道。 新華社還宣稱要力爭在10年內讓60%的大陸本地用戶都用上國產的存儲芯片產品。 |
