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東芝20nm級體硅CMOS工藝獲突破

發(fā)布時間:2009-12-10 10:03    發(fā)布者:李寬
關(guān)鍵詞: CMOS , 東芝 , 工藝
東芝公司今天在美國馬里蘭州巴爾的摩市舉行的IEDM半導(dǎo)體技術(shù)會議上宣布,其20nm級CMOS工藝技術(shù)獲得了重大突破,開啟了使用體硅CMOS工藝制造下一代超大規(guī)模集成電路設(shè)備的大門,成為業(yè)界首個能夠投入實際生產(chǎn)的20nm級CMOS工藝。東芝表示,他們通過對晶體管溝道的摻雜材料進行改善,實現(xiàn)了這次突破。



在傳統(tǒng)工藝中,由于電子活動性降低,通常認為體硅(Bulk)CMOS在20nm級制程下已經(jīng)很難實現(xiàn)。但東芝在溝道構(gòu)造中使用了三層材料,解決了這一問題,成功實現(xiàn)了20nm級的體硅CMOS。這三層材料中,最頂層為外延硅,中間硅層摻雜碳,底層則摻雜硼(nMOS)或砷(pMOS)。

東芝宣稱,這種新工藝在性能上比傳統(tǒng)溝道結(jié)構(gòu)提升了15%到18%,并且通過簡單的工藝改進即可實現(xiàn),不需要使用成本更高的SOI工藝或3D柵極結(jié)構(gòu)。

來源:驅(qū)動之家
本文地址:http://www.qingdxww.cn/thread-6433-1-1.html     【打印本頁】

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