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在德國紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2011展會（5月17日至19日）上，英飛凌科技展出了一系列創(chuàng)新產(chǎn)品和解決方案。這些產(chǎn)品和解決方案可確保大幅降低電子設(shè)備和機(jī)器的能耗。 國際能源機(jī)構(gòu)（IEA）預(yù)計(jì)，今后20年，全球能耗將增加35%以上。以電力形式消耗的能源，占全球總能耗的三分之一左右。電力一般要經(jīng)過遠(yuǎn)距離輸送，這個(gè)過程往往會損耗大量電力。巧妙地利用功率半導(dǎo)體，能夠最大限度地降低發(fā)電、輸配電和電源轉(zhuǎn)換等環(huán)節(jié)的電力損耗，從而消除這種能源損失。利用這種節(jié)能芯片還可以大大提高電子設(shè)備和機(jī)器的能效，以確保最大限度地節(jié)省能源。隨著全球人口數(shù)量不斷增長，節(jié)能的重要性日益凸顯。從某種意義上講，提高能效也是最大的能源來源之一。作為全球領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商，英飛凌通過提供IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）、CoolMOS™、OptiMOS™和碳化硅等產(chǎn)品，為降低全球能耗作出了巨大貢獻(xiàn)。諸如電視機(jī)、計(jì)算機(jī)、電源裝置、游戲機(jī)、服務(wù)器、電機(jī)和機(jī)器等各類電子和電氣設(shè)備紛紛使用了英飛凌的節(jié)能芯片。 英飛凌在PCIM Europe 2011展會上展出的電源管理產(chǎn)品和解決方案如下： 最新RC-D快速IGBT以很高的開關(guān)頻率實(shí)現(xiàn)了最高達(dá)96%的能效，同時(shí)縮小變頻器的尺寸并降低其成本 英飛凌的逆導(dǎo)型（RC）600V IGBT家族又添兩名新成員。這兩款新的功率開關(guān)器件可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)最高達(dá)96%的能效。利用這些全新推出的RC-D快速IGBT，可以設(shè)計(jì)出更高能效的電機(jī)驅(qū)動(dòng)家用電器，它們使用尺寸更小的元件，因此成本比同類系統(tǒng)更低。 如欲了解更多信息，敬請登錄www.infineon.com/rcdf 英飛凌最新推出市場領(lǐng)先的集成快速體二極管的650V CoolMOS CFD2產(chǎn)品，可將諸如服務(wù)器、太陽能設(shè)備、電信機(jī)房開關(guān)電源和照明裝置等設(shè)備的能效提升至新的高度 英飛凌的最新一代高壓CoolMOS MOSFET實(shí)現(xiàn)了又一項(xiàng)創(chuàng)新，設(shè)立了能源效率的新標(biāo)準(zhǔn)。英飛凌展出了全新650V CoolMOS™ CFD2，它是世界上第一款漏源擊穿電壓為650V并且集成了快速體二極管的高壓晶體管。這個(gè)新的CFD2器件延續(xù)了600V CFD產(chǎn)品的優(yōu)點(diǎn)，不僅可以提高能效，而且具備更軟的換流功能，從而降低了電磁干擾（EMI），提升產(chǎn)品的競爭優(yōu)勢。 如欲了解更多信息，敬請登錄www.infineon.com/cfd2 英飛凌為實(shí)現(xiàn)高能效電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)助一臂之力：中壓系列OptiMOS進(jìn)一步完善CanPAK產(chǎn)品陣容 英飛凌新推出的60V至150V CanPAK，進(jìn)一步完善了其OptiMOS™功率MOSFET產(chǎn)品陣容。利用該產(chǎn)品，電源系統(tǒng)工程師可以優(yōu)化設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)更高能效和卓越的散熱性能，同時(shí)最大限度地縮小占板空間。較之于標(biāo)準(zhǔn)分立式封裝，CanPAK金屬“罐”結(jié)構(gòu)有助于實(shí)現(xiàn)雙面散熱，并且?guī)缀醪粫a(chǎn)生封裝寄生電感。CanPAK的優(yōu)勢與OptiMOS家族的杰出性能相得益彰。OptiMOS產(chǎn)品可在整個(gè)電壓范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)行業(yè)最低的RDS(on)和Qg 。對于諸如面向電信應(yīng)用的隔離式DC-DC電源轉(zhuǎn)換器，以及太陽能微型逆變器和太陽能系統(tǒng)中使用的MPP追蹤器等快速開關(guān)應(yīng)用而言，很低的柵極電荷（Qg）意味著最低的開關(guān)損耗。而對于諸如電機(jī)控制等高電流應(yīng)用場合，英飛凌CanPAK產(chǎn)品具備業(yè)界最低的RDS(on)，可以實(shí)現(xiàn)最低的功率損耗。 如欲了解更多信息，敬請登錄www.infineon.com/canpak 碳化硅肖特基二極管thinQ!——采用TO封裝的高能效1200V器件 隨著時(shí)間的推移，英飛凌推出的第二代碳化硅肖特基二極管，已經(jīng)成為不成文的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。現(xiàn)在，英飛凌進(jìn)一步擴(kuò)充了這個(gè)本已十分廣博的產(chǎn)品組合，推出了采用新的TO-247HC（長爬電距離）封裝的1200V碳化硅二極管。 這種新的封裝完全兼容行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)TO-247，因而可輕松用于現(xiàn)有的設(shè)計(jì)，而無需付出額外的努力。更長爬電距離，可提高系統(tǒng)安全性，有效防止系統(tǒng)內(nèi)部的灰塵或污垢導(dǎo)致的短路，特別是電弧。這樣，就不需要使用額外的化學(xué)（硅膠或硅霜）或機(jī)械（護(hù)套或箔）手段來避免封裝引線之間存在任何污染，從而充分發(fā)揮快速的精益生產(chǎn)工藝的所有優(yōu)勢。碳化硅肖特基二極管thinQ系列的目標(biāo)應(yīng)用包括太陽能系統(tǒng)、UPS、SMPS和電機(jī)逆變器等，可全面滿足客戶不斷提高能效和功率密度的需求。 如欲了解更多信息，敬請登錄http://www.infineon.com/cms/en/p ... 81d0112ab6a50b304a0 全新60V邏輯電平OptiMOS“606”系列小信號MOSFET 英飛凌以提供適用于汽車（AEC Q101）的品質(zhì)優(yōu)異的小信號MOSFET而聞名于世。現(xiàn)在，新推出的60V邏輯電平OptiMOS“606”家族，進(jìn)一步豐富了這個(gè)產(chǎn)品組合。這種60毫歐姆邏輯電平器件，具備出類拔萃的單位面積RDSon，并且具有很低的Qg，可以實(shí)現(xiàn)更好的輕載效率。這種產(chǎn)品采用流行的SOT89、TSOP6和SC59封裝，特別適于強(qiáng)調(diào)節(jié)省空間、降低功耗的應(yīng)用。目標(biāo)應(yīng)用包括，作為低功率DC/DC電源轉(zhuǎn)換器的外接FET、在用于電動(dòng)汽車、混合動(dòng)力汽車和外充電式混合動(dòng)力汽車的電池能量控制模塊（BECM）中發(fā)揮平衡作用，以及用作多種微控制器的外接FET。 如欲了解更多信息，敬請登錄http://www.infineon.com/cms/en/p ... 81d0112ab6a590004ba |
