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Microsemi開發下一代高電壓、高功率射頻器件

發布時間:2011-7-6 11:03    發布者:eechina
關鍵詞: 射頻器件 , 數字射頻
美高森美公司(Microsemi )日前發布用于開發下一代高電壓大功率系統的設計指南,這些系統以公司獨有的數字射頻(digital radio frequency, DRF)系列混合模塊為基礎,廣泛應用于半導體加工、LCD玻璃涂層、太陽能電池生產、光學器件及建筑玻璃涂層、有害氣體處理、CO2激光激發、MRI RF放大器、RF手術刀和感應加熱等系統中。

這些模塊將RF驅動IC和功率MOSFET集成在單一高性能封裝中,能夠以高達40 MHz的頻率發送1 ~ 3kW功率。設計指南還為系統開發人員提供了包括元器件選擇、匹配網絡設計、優化輸出功率、效率最大化、散熱設計等各種RF設計技巧,并針對構建完整的RF發生器所需的電路拓撲提供具體建議。

美高森美MOSRF產品部營銷總監Glenn Wright表示:“我們的DRF系列產品同傳統的低壓RF系統相比具有更加突出的技術優勢。這些優勢體現在能夠解決復雜的設計難題,減小系統體積、提高功率密度和可靠性,并降低總體系統成本,適合各種工業、科學和醫學方面的應用。”

美高森美DRF產品系列將最多兩個RF驅動器IC、兩個功率MOSFET及相關的退耦電容集成在單一封裝中。驅動器IC和MOSFET緊密接近,極大的降低了電路電感,同時可提供比分立元件解決方案更高的系統性能,以及實現多種電路配置和系統拓撲。該模塊專為提供連續的功率、 Class D和E與脈沖功率應用而設計,僅需5V邏輯電平輸入信號,即可發射高達3kW的RF功率。新模塊采用美高森美獨特的無法蘭封裝技術,成本比傳統替代解決方案更低,而且進一步改善系統性能。

美高森美現提供DRF產品系列的設計指南和其它開發工具和技術支持服務,包括SPICE模型,參考設計工具套件和應用說明。
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