富士通半導(dǎo)體推出基于0．18μｍ技術(shù)的全新SPI FRAM

發(fā)布時(shí)間：2011-7-19 11:42 發(fā)布者：Liming

富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布推出基于0.18 µm 技術(shù)的全新 SPI FRAM產(chǎn)品家族，包括MB85RS256A、MB85RS128A和MB85RS64A這3個(gè)型號(hào)，并從即日起開始為客戶提供樣片。

FRAM （Ferroelectric Random Access Memory 鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器）將SRAM 的快寫與閃存的非易失性優(yōu)勢(shì)集中在一塊芯片上。全新的SPI FRAM家族MB85RSxxx包括3個(gè)型號(hào)：MB85RS256A、MB85RS128A和MB85RS64A，分別代表256Kbit、128Kbit和64Kbit三個(gè)密度級(jí)。3個(gè)芯片的工作電壓范圍在3.0 ～ 3.6V，讀寫周期為100億次，數(shù)據(jù)保存在55°C的條件下可達(dá)10年，且其工作頻率大幅提高到最大25MHz。由于FRAM產(chǎn)品在寫處理時(shí)無(wú)需電壓增壓器，非常適合低功率應(yīng)用。該產(chǎn)品提供具有標(biāo)準(zhǔn)存儲(chǔ)器引腳配置的8引腳封裝，完全兼容E2PROM芯片。

SPI FRAM產(chǎn)品陣容

產(chǎn)品型號(hào)	存儲(chǔ)器容量	電源	工作電壓	寫/擦次數(shù)	數(shù)據(jù)保持	封裝
MB85RS256A	256K bit	3.0—3.6v	-40—85	100億次	10年	SOP-8
MB85RS128A	128K bit	3.0—3.6v	-40—85	100億次	10年	SOP-8
MB85RS64A	64K bit	3.0—3.6v	-40—85	100億次	10年	SOP-8

FRAM獨(dú)立存儲(chǔ)芯片可廣泛用于計(jì)量、工廠自動(dòng)化應(yīng)用以及需要數(shù)據(jù)采集、高速寫入和耐久性的行業(yè)。對(duì)客戶來(lái)說(shuō)，F(xiàn)RAM不僅可以取代所有使用電池支持的解決方案，同時(shí)也是一款綠色環(huán)保的產(chǎn)品。除 SPI FRAM家族之外，富士通半導(dǎo)體還提供帶I²C和并行口的FRAM獨(dú)立芯片，密度級(jí)從16Kbit到4Mbit不等。此外，富士通還計(jì)劃進(jìn)一步擴(kuò)展FRAM組合以滿足市場(chǎng)需求。憑借領(lǐng)先的技術(shù)開發(fā)和完善的制造工藝，富士通半導(dǎo)體不斷優(yōu)化產(chǎn)品設(shè)計(jì)，并加強(qiáng)與工廠間的密切合作，為向市場(chǎng)穩(wěn)定地提供高質(zhì)量產(chǎn)品打下了基礎(chǔ)。

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