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自旋傳遞扭矩RAM（STT-MRAM）它結(jié)合了非易失性，出色的可擴展性和耐用性以及較低的功耗和快速的讀寫功能。 自旋傳遞轉(zhuǎn)矩（STT）寫入是一種通過對齊流過磁性隧道結(jié)（MTJ）元件的電子的自旋方向來極化電流的技術(shù)。通過使用自旋極化電流來改變磁取向來執(zhí)行數(shù)據(jù)寫入MTJelement中信息存儲層的位置。MTJ元件的合成電阻差用于信息讀取。 STT-MRAM是一種適用于未來使用超精細工藝生產(chǎn)的MRAM的技術(shù)，可以有效地嵌入到隨后的諸如FPGA和微處理器，微控制器和片上系統(tǒng)（SoC）之類的半導(dǎo)體器件中。對于嵌入式設(shè)計人員而言，特別的好處是，STT-MRAM所需的內(nèi)部電壓僅為1.2V。 它可以使用單個1.5伏電池工作，而DRAM和閃存則需要電荷泵來提供更高的電壓。現(xiàn)有的Nand Flash技術(shù)要求內(nèi)部電壓升至10至12伏才能進行寫操作。該電壓借助電荷泵來提高，這需要相當(dāng)大的功率，并且給嵌入式設(shè)計人員帶來了不利的設(shè)計條件。 STT-MRAM技術(shù)為嵌入式設(shè)計人員帶來的另一個主要好處是，由于其有效的自旋轉(zhuǎn)移扭矩技術(shù)，在90nm節(jié)點處的寫入電流低至100至200微安量級。在45納米及以上的半導(dǎo)體節(jié)點上，寫入電流繼續(xù)顯著降低至100微安以下。這種較低的電流轉(zhuǎn)換為更密集且更便宜的存儲器。 Everspin公司在磁存儲器的設(shè)計制造和交付到相關(guān)應(yīng)用中的知識和經(jīng)驗在半導(dǎo)體行業(yè)中是翹楚。Everspin擁有超過600多項有效專利和申請的知識產(chǎn)權(quán)組合，在平面內(nèi)和垂直磁隧道結(jié)（MTJ）STT-MRAM位單元的開發(fā)方面處于市場領(lǐng)先地位。everspin代理宇芯電子支持提供相關(guān)產(chǎn)品技術(shù)支持。 |
| 自旋傳遞轉(zhuǎn)矩（STT）寫入是一種通過對齊流過磁性隧道結(jié)（MTJ）元件的電子的自旋方向來極化電流的技術(shù)。通過使用自旋極化電流來改變磁取向來執(zhí)行數(shù)據(jù)寫入MTJelement中信息存儲層的位置。MTJ元件的合成電阻差用于信息讀取。 |
| STT-MRAM技術(shù)為嵌入式設(shè)計人員帶來的另一個主要好處是，由于其有效的自旋轉(zhuǎn)移扭矩技術(shù)，在90nm節(jié)點處的寫入電流低至100至200微安量級。在45納米及以上的半導(dǎo)體節(jié)點上，寫入電流繼續(xù)顯著降低至100微安以下。這種較低的電流轉(zhuǎn)換為更密集且更便宜的存儲器。 |
