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MR4A16B是一個(gè)16,777,216位磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM）設(shè)備，組織為1,048,576個(gè)16位字。 MR4A16B提供SRAM兼容的35 ns讀/寫時(shí)序，具有無限的耐久性。數(shù)據(jù)在20年以上始終是非易失性的。低壓禁止電路會(huì)在掉電時(shí)自動(dòng)保護(hù)數(shù)據(jù)，以防止電壓超出規(guī)格的寫入。為了簡化容錯(cuò)設(shè)計(jì)，MR4A16B包含內(nèi)部單個(gè)糾錯(cuò)碼，每64個(gè)數(shù)據(jù)位具有7個(gè)ECC奇偶校驗(yàn)位。對(duì)于必須快速永久存儲(chǔ)和檢索關(guān)鍵數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用，MR4A16B是理想的存儲(chǔ)器解決方案。 MR4A16B提供小尺寸的48引腳球柵陣列（BGA）封裝和54引腳的薄型薄型外形封裝（TSOP Type 2）。這些封裝與類似的低功耗SRAM產(chǎn)品和其他非易失性RAM產(chǎn)品兼容。MR4A16B在很寬的溫度范圍內(nèi)提供了高度可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。該產(chǎn)品提供商業(yè)溫度（0至+70°C）和工業(yè)溫度（-40至+85°C）工作溫度選項(xiàng)。最新的Everspin產(chǎn)品信息及選購，請(qǐng)接洽代理宇芯電子銷售。 MR4A16B 1M x 16 MRAM •+3.3伏電源 •35 ns的快速讀寫周期 •SRAM兼容時(shí)序 •無限的讀寫耐久性 •溫度下，數(shù)據(jù)始終保持非易失性超過20年 •符合RoHS要求的小尺寸BGA和TSOP2封裝 •所有產(chǎn)品均符合MSL-3濕度敏感度標(biāo)準(zhǔn) •一個(gè)存儲(chǔ)器取代了系統(tǒng)中的FLASH，sram，EEPROM和BBSRAM，從而實(shí)現(xiàn)了更簡單，更高效的設(shè)計(jì) •通過更換電池供電的SRAM來提高可靠性 關(guān)于Everspin Everspin在磁存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)，制造和交付到相關(guān)應(yīng)用中的知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨(dú)一無二的。Everspin擁有超過600項(xiàng)有效專利和申請(qǐng)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合，在平面內(nèi)和垂直磁隧道結(jié)（MTJ）STT-MRAM位單元的開發(fā)方面處于市場(chǎng)領(lǐng)先地位。在包括40nm，28nm以及更高技術(shù)節(jié)點(diǎn)在內(nèi)的先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)上進(jìn)行了全包交鑰匙的300mm大批量平面內(nèi)和垂直MTJ ST-MRAM生產(chǎn)。此外，Everspin在亞利桑那州錢德勒擁有并運(yùn)營一條集成的磁性生產(chǎn)線，Everspin在此生產(chǎn)基于180nm，130nm和90nm工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)的MRAM產(chǎn)品。產(chǎn)品包裝和測(cè)試業(yè)務(wù)遍及中國，臺(tái)灣和其他亞洲國家。 MR4A16B型號(hào)表
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