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EMI164NA16LM該設(shè)備是一個(gè)集成的存儲(chǔ)器設(shè)備，其中包含64Mbit靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，使用自刷新DRAM陣列由16位組織為4M。模具具有單獨(dú)的電源軌，VCCQ和VSSQ，用于從設(shè)備核心的單獨(dú)電源運(yùn)行。 特征 •電源 -VCC和VCCQ電壓：3.0V（2.7V〜3.6V） •配置：64MB（4MBX16） •讀取速度 -異步讀訪問(wèn)：70ns •低功耗 -異步操作：<30mA -待機(jī)電流：<350UA（最大值） •低功耗功能 -片上溫度補(bǔ)償自刷新（TCSR） •工作溫度范圍：-40°C〜+85°C（工業(yè)） •包裝：48 TFBGA（6.0x7.0mm） 引腳封裝 48 TFBGA（6.0x7.0mm） EMI164NA16LM該設(shè)備是67,108,864位pSRAM，使用DRAM型存儲(chǔ)器單元，但該器件具有無(wú)刷新操作和極端低功耗技術(shù)。接口與低功耗異步類型SRAM兼容。該設(shè)備組織為4,194,304字x16位。 圖2.功能框圖 功能描述 64MB設(shè)備包含67,108,864位DRAM核心，組織為16位的4,194,304個(gè)地址。該設(shè)備包括行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，在其他LOW Pexer SRAM產(chǎn)品上找到的異步內(nèi)存接口 表1功能描述 1.當(dāng)UB＃和LB＃處于選擇模式（低）時(shí)，DQ0〜DQ15受到如圖所示的影響。 當(dāng)僅LB＃處于選擇模式時(shí)，DQ0〜DQ7受到如圖所示的影響。只有UB＃處于選擇模式時(shí)，DQ8〜DQ15會(huì)受到如圖所示的影響。 2.當(dāng)設(shè)備處于待機(jī)模式時(shí)，控制輸入（We＃，OE＃），地址輸入和數(shù)據(jù)輸入/輸出在內(nèi)部與任何外部影響分離。 3.當(dāng)我們＃處于活動(dòng)狀態(tài)時(shí)，OE＃INPUT在內(nèi)部禁用，對(duì)I/O沒(méi)有影響。 4.只要更改地址，設(shè)備將在此模式下消耗有效電源。 5.VIN=VCCQ或0V，所有器件引腳都是靜態(tài)（未切換的），以實(shí)現(xiàn)備用電流。 關(guān)于EMI 安徽偉凌創(chuàng)芯微電子有限責(zé)任公司（簡(jiǎn)稱EMI）位于合肥市高新區(qū)，是一家以市場(chǎng)為導(dǎo)向的無(wú)晶圓半導(dǎo)體公司。專注于利基市場(chǎng)專用芯片/小型藍(lán)牙SOC芯片/存儲(chǔ)芯片SRAM/PSRAM及整體解決方案，第一代產(chǎn)品涉及千兆/萬(wàn)兆USB網(wǎng)口芯片以及音視頻接口芯片。提供創(chuàng)新、高品質(zhì)、高性價(jià)比、 供貨持續(xù)穩(wěn)定的芯片，并通過(guò)提供軟硬件Turnkey solution，降低客戶研發(fā)難度，縮短客戶量產(chǎn)時(shí)程。產(chǎn)品領(lǐng)域涵蓋智能感知、網(wǎng)絡(luò)可視化、信息化、信息安全、大數(shù)據(jù)分析、智能語(yǔ)音、應(yīng)用展現(xiàn)、特種通信和智能建筑等。EMI代理英尚微電子支持提供產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)支持。 
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| EMI164NA16LM該設(shè)備是一個(gè)集成的存儲(chǔ)器設(shè)備，其中包含64Mbit靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，使用自刷新DRAM陣列由16位組織為4M。模具具有單獨(dú)的電源軌，VCCQ和VSSQ，用于從設(shè)備核心的單獨(dú)電源運(yùn)行。 |
