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四款新型 GaN-on-SiC MMIC 器件，助力設計人員改進射頻系統尺寸、重量和功率 科銳Cree, Inc. 宣布，Cree | Wolfspeed于近日推出四款新型多極碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）單片微波集成電路（MMIC）器件，進一步擴展射頻（RF）解決方案范圍，適用于包括海事、氣象監測和新興的無人機系統雷達等在內的脈沖和連續波 X-波段相控陣應用。 
通過采用 Wolfspeed GaN-on-SiC 技術，這些新型器件能夠在小型且行業標準封裝內提供高功率附加效率（PAE），從而助力設計人員能夠在更小型的系統中實現性能的最大化，且功耗更少。 Cree | Wolfspeed 負責 foundry 和航空航天業務的高級總監Jim Milligan表示：“Cree | Wolfspeed 新型 X-波段器件為設計工程師提供了豐富的選項，適合要求在苛刻尺寸內實現高效率發射解決方案的系統，例如在有源相陣控雷達應用中所需要的那些。通過采用 Wolfspeed GaN-on-SiC 解決方案，將賦能實現關鍵射頻系統所要求的更小尺寸、更輕重量、更高功率（SWaP）、以及性能達到新的高度。”
豐富的 X-波段產品組合提供支持多級增益的解決方案，從而減少發射鏈路中所需要的器件數量。它們包括了不同的功率等級以優化系統性能，并提供多種平臺以優化系統架構。瀏覽表1，了解更多產品細節和性能數據。 新型的放大器，繼續擴大了產品組合。它們優異的性能展現了Cree | Wolfspeed 數十年的 GaN-on-SiC 專業技術沉淀，助力支持航空航天等市場。同時這也體現了致力于開發出適用于廣泛射頻應用的創新型、業界領先的氮化鎵（GaN）解決方案的不懈追求。 表1
備注：以上所列所有器件 ECCN均為3A001.b.2 了解關于Cree | Wolfspeed及相關產品的更多信息，敬請訪問www.wolfspeed.com/xband。 |
