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FRAM的學(xué)術(shù)名字叫做FERAM，利用鐵電晶體的鐵電效應(yīng)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲，其的特點(diǎn)是速度快，能夠像RAM一樣操作，讀寫功耗極低，不存在 如EEPROM的最大寫入次數(shù)的問題；但受鐵電晶體特性制約，F(xiàn)RAM仍有最大訪問（讀）次數(shù)的限制。FRAM在耐久性、讀寫速度、功耗等各方面吊打EEFROM和FLASH。 FRAM性能比EEPROM好的的三個(gè)優(yōu)勢： 1、壽命，讀寫的次數(shù)比較多， EEPROM和flash都達(dá)不到EEFROM的讀寫次數(shù)； 2、功耗，同樣寫入64byte的數(shù)據(jù)，F(xiàn)RAM的功耗僅僅是EEPROM的1/100，這樣功耗越低，電池的使用壽命就越長； 3、讀寫速度，F(xiàn)RAM的寫入速度可以達(dá)到納米秒，寫入一個(gè)數(shù)據(jù)的時(shí)間僅僅是EEPROM的1/3000。這么快的讀寫速度帶來的另一個(gè)意想不到的好處就是瞬間斷電的時(shí)候，F(xiàn)RAM的數(shù)據(jù)已經(jīng)寫入，而EEPROM肯定數(shù)據(jù)丟失。 跟FRAM比EEFROM簡直就是戰(zhàn)五渣啊！可是為什么用FRAM的客戶還是少數(shù)呢？這就要談到價(jià)格問題了。并不是技術(shù)好的產(chǎn)品就會(huì)流行，消費(fèi)者更看重性價(jià)比。FRAM的Logic部分比重太大，成本難以降低是一個(gè)難點(diǎn)。相比EEPROM，F(xiàn)RAM的存儲容量實(shí)在是有一點(diǎn)捉急。在工藝上，F(xiàn)RAM也很難突破100nm，因此大數(shù)據(jù)的存儲還是更適合留給FLASH或者EEFROM，畢竟兩者分工不同。 那么什么樣的應(yīng)用更適合FRAM而非EEFROM呢？如果對存儲容量沒有太高要求，而又需要頻繁的記錄重要數(shù)據(jù)，又不希望數(shù)據(jù)在斷電中無法保護(hù)，這種應(yīng)用比較適合FRAM。比如汽車中用到的黑匣子，主要記錄剎車信息以及事故前幾秒的情況。“在日本、在歐洲、在韓國如果你把發(fā)動(dòng)機(jī)關(guān)了，或者意外事故掉地上了，當(dāng)前的模式、當(dāng)前的狀態(tài)一定記下來，比如說進(jìn)入隧道的時(shí)候，進(jìn)入隧道那個(gè)通信沒了，會(huì)先記錄下來。 富士通FRAM憑借高讀寫耐久性、高速寫入和超低功耗的獨(dú)特特質(zhì)，近年來在Kbit和Mbit級小規(guī)模數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域開始風(fēng)生水起，在各種應(yīng)用領(lǐng)域頻頻“露臉”并大有斬獲，這就是鐵電存儲器FRAM。富士通代理英尚微電子可為客戶提供產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)支持。 |
