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復(fù)旦微電推出NAND Flash及EEPROM存儲(chǔ)器新品

發(fā)布時(shí)間:2023-4-27 21:58    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: NAND , EEPROM , 復(fù)旦微電子
上海復(fù)旦微電子集團(tuán)股份有限公司今日舉辦線上發(fā)布會(huì),推出FM25/FM29系列SLC NAND,F(xiàn)M24N/FM24LN/FM25N高可靠、超寬壓系列EEPROM,以及符合AEC-Q100的車(chē)規(guī)FM24C/FM25系列EEPROM等非揮發(fā)存儲(chǔ)新產(chǎn)品。

FM25/FM29系列產(chǎn)品基于28nm先進(jìn)NAND flash工藝,滿足6萬(wàn)次擦寫(xiě)次數(shù)和數(shù)據(jù)保存10年的高可靠性要求,應(yīng)用于工規(guī)、5G通訊、車(chē)載等相關(guān)領(lǐng)域。FM24N/FM24LN/FM25N系列產(chǎn)品基于95nm先進(jìn)EEPROM工藝,具備低功耗、超寬電壓、高可靠等特性,其中擦寫(xiě)壽命大于400萬(wàn)次、數(shù)據(jù)保持時(shí)間大于200年,產(chǎn)品性能及可靠性達(dá)到業(yè)界領(lǐng)先水平,應(yīng)用于CCM、白電、工控、儀表、醫(yī)療、5G通訊、車(chē)載等相關(guān)領(lǐng)域。其中FM24C/FM25系列車(chē)規(guī)產(chǎn)品已通過(guò)AEC-Q100 Grade 1車(chē)規(guī)級(jí)驗(yàn)證。

FM25/FM29系列SLC NAND存儲(chǔ)器

發(fā)布會(huì)現(xiàn)場(chǎng),復(fù)旦微電產(chǎn)品經(jīng)理肖磊介紹,F(xiàn)M25/FM29系列是目前國(guó)內(nèi)外首款單芯片同時(shí)支持雙接口(SPI/PPI)雙電源(1.8/3.3)的 SLC NAND Flash,產(chǎn)品開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)針對(duì)28nm先進(jìn)工藝平臺(tái)特性,優(yōu)化編擦、擦除、回讀算法,采用內(nèi)部8bit BCH ECC設(shè)計(jì),兼顧成本、性能和可靠性,滿足6萬(wàn)次擦寫(xiě)次數(shù)和數(shù)據(jù)保存10年的高可靠性要求。SPI系列(FM25)容量覆蓋512Mb~4Gb,溫度覆蓋-40℃~+105℃。 PPI系列為(FM29)容量覆蓋2Gb~8Gb,溫度覆蓋-40℃~+105℃。

FM25S系列產(chǎn)品特點(diǎn):
        存儲(chǔ)器容量:512Mb~4Gbit
        工作電壓范圍1.8V/3.3V;
        工作溫度范圍-40℃~+85℃ 以及-40℃~+105℃擴(kuò)展級(jí);
        SPI高速單/雙/四口: 104MHz(3.3V) / 85MHz(1.8V)
        支持內(nèi)置8 bit ECC,滿足客戶Error-Free 需求
        高可靠性:
        Endurance:6萬(wàn)擦寫(xiě)次數(shù)
        Data Retention:10年
        封裝支持TDFN5X6/TDFN6X8等多種封裝形式。

FM29F系列產(chǎn)品特點(diǎn):
        存儲(chǔ)器容量:2Gb~8G bit
        工作電壓范圍1.8V/3.3V;
        工作溫度范圍-40℃~+85℃ 以及-40℃~+105℃擴(kuò)展級(jí);
        兼容ONFI 1.0標(biāo)準(zhǔn): 50MHz(3.3V) / 33MHz(1.8V)
        支持內(nèi)置8 bit ECC,滿足客戶Error-Free 需求
        高可靠性:
        Endurance:6萬(wàn)擦寫(xiě)次數(shù)
        Data Retention:10年
        封裝支持BGA63/TSOP48等多種封裝形式。



下一階段,復(fù)旦微電SLC NAND Flash存儲(chǔ)器全系列產(chǎn)品將覆蓋512Mbit~16Gbit容量, 其中2/4 Gbit SPI NAND Flash容量新品最高工作頻率將擴(kuò)展到120MHz(3.3V)/95MHz(1.8V)的High speed模式,16Gbit PPI NAND支持DDR高速接口,可滿足客戶更快讀寫(xiě)訪問(wèn)速度需求。同時(shí),全系產(chǎn)品會(huì)繼續(xù)提升耐寫(xiě)性指標(biāo),滿足客戶高工規(guī)的應(yīng)用。
FM24/FM25系列串行EEPROM存儲(chǔ)器

本次復(fù)旦微電推出國(guó)內(nèi)首款低功耗超寬電壓FM24LN系列I2C串行EEPROM存儲(chǔ)器、FM24N/25N寬電壓高可靠I2C/SPI串行EEPROM,以及FM24C/FM25車(chē)規(guī)EEPROM三個(gè)系列的新產(chǎn)品。復(fù)旦微電產(chǎn)品經(jīng)理周泉介紹道,產(chǎn)品開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)針對(duì)流片工藝平臺(tái)的特性,以及對(duì)存儲(chǔ)器產(chǎn)品工作原理的深刻理解,對(duì)EEPROM存儲(chǔ)器讀寫(xiě)電路進(jìn)行了特別的優(yōu)化設(shè)計(jì),大幅度提升了產(chǎn)品的性能及可靠性,為客戶提供了更多的產(chǎn)品選擇,可以滿足CCM、白電、工控、儀表、醫(yī)療、5G通訊、車(chē)載等各種應(yīng)用領(lǐng)域需求。FM24C/FM25系列車(chē)規(guī)產(chǎn)品已通過(guò)權(quán)威第三方測(cè)試認(rèn)證機(jī)構(gòu)——工業(yè)和信息化部電子第五研究所AEC-Q100 Grade 1車(chē)規(guī)級(jí)驗(yàn)證,產(chǎn)品工作溫度擴(kuò)展至-40℃~+125℃。

FM24LN系列首發(fā)包含32K/64K/128Kbit三種容量的I2C串行EEPROM,產(chǎn)品支持1.1V~5.5V超寬工作電壓范圍,溫度覆蓋工規(guī)-40℃~+85℃,全電壓范圍內(nèi)均支持400KHz/1MHz工作頻率,5.5V下典型待機(jī)電流小于1uA,讀寫(xiě)電流不超過(guò)0.8mA,產(chǎn)品滿足擦寫(xiě)壽命≥400萬(wàn)次、數(shù)據(jù)保持時(shí)間≥100年的高可靠性要求,支持WLCSP-4Ball、SOP8、TSSOP8、TDFN8等多種封裝形式。
FM24N系列首發(fā)包含64K/128K/256K/512Kbit四種容量的I2C串行EEPROM,產(chǎn)品支持1.7V~5.5V寬工作電壓范圍,溫度覆蓋工規(guī)-40℃~+85℃以及工規(guī)擴(kuò)展溫度-40℃~+125℃,支持400KHz/1MHz/3.4MHz工作頻率,寫(xiě)電流≤2mA,讀電流≤0.6mA,產(chǎn)品滿足擦寫(xiě)壽命≥400萬(wàn)次、數(shù)據(jù)保持時(shí)間≥200年的高可靠性要求,支持SOP8、TSSOP8、TDFN8等多種封裝形式。
FM25N系列首發(fā)包含64K/128K/256K/512Kbit四款容量,產(chǎn)品支持1.7V~5.5V寬工作電壓范圍,溫度覆蓋工規(guī)-40℃~+85℃以及工規(guī)擴(kuò)展溫度-40℃~+125℃,支持5M(VCC≥1.7V);10M(VCC≥2.5V);20M(VCC≥4.5V)工作頻率,寫(xiě)電流≤2mA,讀電流≤5mA@5.5V/20MHz,產(chǎn)品滿足擦寫(xiě)壽命≥400萬(wàn)次、數(shù)據(jù)保持時(shí)間≥200年的高可靠性要求,支持SOP8、TSSOP8、TDFN8等多種封裝形式。

FM24CXXX系列車(chē)規(guī)產(chǎn)品首發(fā)包含128K/256K/512Kbit三款容量產(chǎn)品,產(chǎn)品通過(guò)了嚴(yán)苛的AEC-Q100 Grade1認(rèn)證,產(chǎn)品支持1.7V~5.5V超寬工作電壓范圍,工作溫度范圍-40℃~+125℃,支持400KHz/1MHz工作頻率,寫(xiě)電流≤3mA,讀電流≤1mA,產(chǎn)品滿足擦寫(xiě)壽命≥100萬(wàn)次、數(shù)據(jù)保持時(shí)間≥40年的高可靠性要求,支持SOP8、TSSOP8、TDFN8等多種封裝形式,產(chǎn)品濕敏等級(jí)為MSL1。

FM25XXX系列車(chē)規(guī)產(chǎn)品首發(fā)包含64K/512Kbit兩款容量產(chǎn)品,產(chǎn)品通過(guò)了嚴(yán)苛的AEC-Q100 Grade1認(rèn)證,產(chǎn)品支持1.8V~5.5V超寬工作電壓范圍,工作溫度范圍-40℃~+125℃,最高支持20MHz工作頻率,寫(xiě)電流≤3mA,讀電流≤5mA,產(chǎn)品滿足擦寫(xiě)壽命≥100萬(wàn)次、數(shù)據(jù)保持時(shí)間≥40年的高可靠性要求,支持SOP8、TSSOP8、TDFN8等多種封裝形式,產(chǎn)品濕敏等級(jí)為MSL1。



FM24LN32/64/128產(chǎn)品特點(diǎn):
        存儲(chǔ)器容量:32K/64K/128Kbit;
        工作電壓范圍1.1V~5.5V;
        工作溫度范圍-40℃~+85℃;
        全電壓范圍內(nèi)兼容400KHz/1MHz時(shí)鐘;
        串行接口符合I2C規(guī)范;
        IO電壓與芯片VCC相同,同時(shí)兼容1.2V/1.8V/3.3V/5V等主流電壓應(yīng)用。
        具有軟件保護(hù)功能(SWP);
        具備器件地址可配置功能,支持I2C總線上最多掛8顆EEPROM;
        輸入腳經(jīng)施密特觸發(fā)器濾波抑制噪聲;
        具有字節(jié)寫(xiě)、頁(yè)寫(xiě)、當(dāng)前地址讀、自由讀、順序讀等操作模式;
        擦寫(xiě)時(shí)間內(nèi)部定時(shí)(max 5ms);
        128 bit 由廠家編寫(xiě)的、只讀的唯一標(biāo)識(shí)碼,方便產(chǎn)品溯源。
        額外的一頁(yè)Security Sector安全區(qū),用戶可讀寫(xiě),可鎖成只讀。(客戶可以把版本、物料、廠商代碼等關(guān)鍵信息寫(xiě)入,方便產(chǎn)品管控及溯源)
        高可靠性:
        Endurance:400萬(wàn)擦寫(xiě)次數(shù)
        Data Retention:100年
        封裝支持SOP8/TDFN/TSSOP/WLCSP等封裝,其中WLCSP封裝支持400um*400um及400um*500um Ball Pitch兩種規(guī)格。

FM24N64/128/256/512產(chǎn)品特點(diǎn):
        存儲(chǔ)器容量:64K/128K/256K/512Kbit;
        工作電壓范圍1.7V~5.5V;
        工作溫度范圍-40℃~+85℃/-40℃~+125℃(擴(kuò)展);
        支持400KHz/1MHz/3.4MHz時(shí)鐘頻率;
        串行接口符合I2C規(guī)范;
        內(nèi)置ECC糾錯(cuò)邏輯;
        支持硬件保護(hù)功能;
        總線上最多支持8顆EEPROM尋址;
        輸入腳經(jīng)施密特觸發(fā)器濾波抑制噪聲;
        具有字節(jié)寫(xiě)、頁(yè)寫(xiě)、當(dāng)前地址讀、自由讀、順序讀等操作模式;
        擦寫(xiě)時(shí)間內(nèi)部定時(shí)(max 5ms);
        128 bit 由廠家編寫(xiě)的、只讀的唯一標(biāo)識(shí)碼,方便產(chǎn)品溯源。
        額外的一頁(yè)Security Sector安全區(qū),用戶可讀寫(xiě),可鎖成只讀。(客戶可以把版本、物料、廠商代碼等關(guān)鍵信息寫(xiě)入,方便產(chǎn)品管控及溯源)
        高可靠性:
        Endurance:400萬(wàn)擦寫(xiě)次數(shù)
        Data Retention:200年
        封裝支持SOP8/TDFN/TSSOP等封裝。

FM25N64/128/256/512產(chǎn)品特點(diǎn):
        存儲(chǔ)器容量:64K/128K/256K/512Kbit;
        工作電壓范圍1.7V~5.5V;
        工作溫度范圍-40℃~+85℃/-40℃~+125℃(擴(kuò)展);
        工作頻率5M(VCC≥1.7V);10M(VCC≥2.5V);20M(VCC≥4.5V);
        支持SPI Mode 0 (0,0)及Mode 3 (1,1);
        內(nèi)置ECC糾錯(cuò)邏輯;
        支持1/4空間、1/2空間、全空間寫(xiě)保護(hù);
        支持軟、硬件寫(xiě)保護(hù)功能;
        支持字節(jié)頁(yè)及頁(yè)寫(xiě)模式;
        擦寫(xiě)時(shí)間內(nèi)部定時(shí)(max 5ms);
        128 bit 由廠家編寫(xiě)的、只讀的唯一標(biāo)識(shí)碼,方便產(chǎn)品溯源。
        額外的一頁(yè)Security Sector安全區(qū),用戶可讀寫(xiě),可鎖成只讀。(客戶可以把版本、物料、廠商代碼等關(guān)鍵信息寫(xiě)入,方便產(chǎn)品管控及溯源)
        高可靠性:
        Endurance:400萬(wàn)擦寫(xiě)次數(shù)
        Data Retention:200年
        封裝支持SOP8/TDFN/TSSOP等封裝。

FM24C128EA1/FM24C256EA1/FM24C512DA1車(chē)規(guī)產(chǎn)品特點(diǎn):
        存儲(chǔ)器容量:128K/256K/512Kbit;
        符合AEC-Q100 Grade1;
        工作電壓范圍1.7V~5.5V;
        工作溫度范圍-40℃~+125℃;
        支持400KHz/1MHz時(shí)鐘頻率;
        串行接口符合I2C規(guī)范;
        支持硬件保護(hù)功能;
        總線上最多支持8顆EEPROM尋址;
        輸入腳經(jīng)施密特觸發(fā)器濾波抑制噪聲;
        具有字節(jié)寫(xiě)、頁(yè)寫(xiě)、當(dāng)前地址讀、自由讀、順序讀等操作模式;
        擦寫(xiě)時(shí)間內(nèi)部定時(shí)(max 5ms);
        128 bit 由廠家編寫(xiě)的、只讀的唯一標(biāo)識(shí)碼,方便產(chǎn)品溯源。
        額外的一頁(yè)Security Sector安全區(qū),用戶可讀寫(xiě),可鎖成只讀。(客戶可以把版本、物料、廠商代碼等關(guān)鍵信息寫(xiě)入,方便產(chǎn)品管控及溯源)
        高可靠性:
        Endurance:100萬(wàn)擦寫(xiě)次數(shù)
        Data Retention:40年
        封裝支持SOP8/TDFN/TSSOP等封裝,濕敏等級(jí):MSL1。

FM25640A1/FM25512A1產(chǎn)品特點(diǎn):
        存儲(chǔ)器容量:64K/512Kbit;
        符合AEC-Q100 Grade1;
        工作電壓范圍1.8V~5.5V;
        工作溫度范圍-40℃~+125℃;
        工作頻率最高支持20MHz(FM25640A1)、16MHz(FM25512A1);
        支持SPI Mode 0 (0,0)及Mode 3 (1,1);
        支持1/4空間、1/2空間、全空間寫(xiě)保護(hù);
        支持軟、硬件寫(xiě)保護(hù)功能;
        支持字節(jié)頁(yè)及頁(yè)寫(xiě)模式;
        擦寫(xiě)時(shí)間內(nèi)部定時(shí)(max 5ms);
        128 bit 由廠家編寫(xiě)的、只讀的唯一標(biāo)識(shí)碼,方便產(chǎn)品溯源。
        額外的一頁(yè)Security Sector安全區(qū),用戶可讀寫(xiě),可鎖成只讀。(客戶可以把版本、物料、廠商代碼等關(guān)鍵信息寫(xiě)入,方便產(chǎn)品管控及溯源)
        高可靠性:
        Endurance:100萬(wàn)擦寫(xiě)次數(shù)
        Data Retention:40年
        封裝支持SOP8/TDFN/TSSOP等封裝。

下一階段,復(fù)旦微電全新FM24LN、FM24N系列EEPROM存儲(chǔ)器全系列產(chǎn)品將覆蓋64Kbit~2Mbit容量,F(xiàn)M25N將補(bǔ)全64Kbit~4Mbit全系列容量。其中FM24N全系列新品最高工作頻率將擴(kuò)展到I2C總線規(guī)范的3.4MHz的High speed(HS Mode)模式,可滿足客戶更快讀寫(xiě)訪問(wèn)速度需求。I2C、SPI接口EEPROM的全系列容量產(chǎn)品計(jì)劃于年內(nèi)完成AEC-Q100 Grade1車(chē)規(guī)級(jí)驗(yàn)證,本次發(fā)布EEPROM新品將陸續(xù)啟動(dòng)量產(chǎn)。

發(fā)布會(huì)最后,工業(yè)和信息化部電子第五研究所汽車(chē)電子行業(yè)經(jīng)理王健分享了題為《車(chē)規(guī)“芯”形式下的質(zhì)量保障》的主題演講。王健表示,近幾年來(lái)車(chē)規(guī)芯片快速發(fā)展,五所與客戶開(kāi)發(fā)并應(yīng)用“5A+CA關(guān)鍵分析評(píng)價(jià)”質(zhì)量工程體系,在研制轉(zhuǎn)批量生產(chǎn)前有效識(shí)別、定位、改善解決潛在的設(shè)計(jì)、材料、結(jié)構(gòu)、工藝等缺陷,提升成品率、可靠性、穩(wěn)定性和一致性,提升企業(yè)品牌和競(jìng)爭(zhēng)力。五所在與復(fù)旦微電的合作中,對(duì)存儲(chǔ)芯片、MCU、安全與識(shí)別等一系列產(chǎn)品開(kāi)展車(chē)規(guī)測(cè)試認(rèn)證服務(wù)合作。未來(lái),五所將持續(xù)和復(fù)旦微攜手并進(jìn),砥礪前行。

基于本次發(fā)布的系列新品,復(fù)旦微電子還推出全系列車(chē)規(guī)級(jí)NAND/Nor Flash及EEPROM存儲(chǔ)器,產(chǎn)品符合AEC-Q100 Grade1/Grade2需求。公司將持續(xù)在非易失存儲(chǔ)器領(lǐng)域以新工藝節(jié)點(diǎn)、低壓或?qū)拤骸⒏咚佟⒏呖煽啃裕ㄍ卣构ひ?guī)、車(chē)規(guī)等)為發(fā)展方向,進(jìn)一步嘗試并拓展系統(tǒng)級(jí)存儲(chǔ)器產(chǎn)品防線,不斷獲得突破和領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。

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