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Everspin Technologies，Inc是設計制造MRAMSTT-MRAM的翹楚，其市場和應用領域涉及數據持久性和可靠性。完整性，低延遲和安全性至關重要。Everspin在數據中心，云存儲，能源，工業，汽車和運輸市場中部署了超過1.2億個MRAM和STT-MRAM產品。擁有超過600項有效專利和申請的知識產權組合，在平面內和垂直磁隧道結（MTJ）STT-MRAM位單元的開發方面處于市場領先地位。 MR1A16A概述 MR1A16A是一款具有2097152位的非易失性存儲器并口mram，組織為131072個16位字。MR1A16A提供SRAM兼容的35ns讀/寫時序，具有無限的耐久性。數據在20年以上始終是非易失性的。低壓禁止電路可自動在斷電時保護數據，以防止在不符合規定的電壓情況下進行寫操作。對于必須快速永久存儲和檢索關鍵數據和程序的應用，MR1A16A是理想的存儲器解決方案。 MR1A16A提供小尺寸的48引腳（BGA）封裝和44引腳薄型小外形封裝（TSOP Type2）。這些封裝與類似的低功耗SRAM產品和其他非易失性RAM產品兼容。MR1A16A在很寬的溫度范圍內提供高度可靠的數據存儲。該產品提供商用（0至+70℃），工業（-40至+85℃），擴展（-40至+105℃）和AEC-Q1001級（-40至+125℃）工作溫度范圍選項。Everspin MR1A16A MRAM可替換賽普拉斯FM28V202A鐵電FRAM。Everspin代理英尚微提供驅動例程等技術支持。 MR1A16A引腳配置 特征 •35ns的快速讀/寫周期 •SRAM兼容時序，無需重新設計即可使用現有SRAM控制器 •無限的讀寫耐力 •數據在超過20年的溫度下保持非易失性 •一個存儲器替代了系統中的Flash，SRAM，EEPROM和BBSRAM，從而實現了更簡單，更高效的設計 •用MRAM代替電池供電的SRAM解決方案，以提高可靠性 •3.3V電源 •斷電時自動數據保護 •商業，工業，擴展溫度 •AEC-Q1001級選項 •所有產品均符合MSL-3濕度敏感度等級 •符合RoHS的SRAM TSOP2和BGA封裝 MR1A16A型號表
MR1A16A規格書下載 
MR1A16A_Datasheet_Rev1.1_03102020_1 (1).pdf
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| MR1A16A |
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| MR1A16A是一款具有2097152位的非易失性存儲器并口mram，組織為131072個16位字。MR1A16A提供SRAM兼容的35ns讀/寫時序，具有無限的耐久性。數據在20年以上始終是非易失性的。低壓禁止電路可自動在斷電時保護數據，以防止在不符合規定的電壓情況下進行寫操作。對于必須快速永久存儲和檢索關鍵數據和程序的應用，MR1A16A是理想的存儲器解決方案。 |
