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FM25V10-GTR是采用先進鐵電工藝的1Mbit非易失性存儲器。鐵電存儲器或FRAM是非易失性的，并且執行類似于RAM的讀取和寫入操作。它提供了151年的可靠數據保留，同時消除了由串行閃存，EEPROM和其他非易失性存儲器引起的復雜性，開銷和系統級可靠性問題。 FM25V10-GTR是串行FRAM存儲器。存儲器陣列在邏輯上被組織為131,072×8位，并使用行業標準的串行外圍設備接口（SPI）總線進行訪問。FRAM的功能操作類似于串行閃存和串行EEPROM。FM25V10-GTR與具有相同引腳排列的串行閃存或EEPROM之間的主要區別在于FRAM的優越寫入性能，高耐用性和低功耗。 與串行閃存和EEPROM不同，FM25V10-GTR以總線速度執行寫操作。沒有寫入延遲。每個字節成功傳輸到設備后，立即將數據寫入存儲器陣列。下一個總線周期可以開始而無需數據輪詢。此外，與其他非易失性存儲器相比，該產品具有顯著的寫入耐久性。FM25V10-GTR能夠支持1014個讀/寫周期，或比EEPROM多1億倍的寫周期。 這些功能使FM25V10-GTR非常適合需要頻繁或快速寫入的非易失性存儲器應用，例如數據收集（可能是關鍵的寫入周期數）到苛刻的工業控制，而串行閃存或EEPROM的較長寫入時間會導致數據丟失。 FM25V10-GTR作為串行EEPROM或閃存的用戶，可作為硬件的替代品而獲得實質性好處。FM25V10-GTR使用高速SPI總線，從而增強了FRAM技術的高速寫入能力。FM25VN10提供了唯一的序列號，該序列號是只讀的，可用于識別電路板或系統。兩種設備都包含一個只讀的設備ID，主機可以通過該ID來確定制造商，產品密度和產品版本。在–40℃至+85℃的工業溫度范圍內保證器件的規格。 耐力 FM25V10-GTR器件至少可以被訪問1014次，可以進行讀取或寫入。 FeRAM存儲器具有讀取和還原機制。因此，對于存儲陣列的每次訪問（讀取或寫入），將按行施加耐久周期。 FRAM體系結構基于每個64位的16K行的行和列的陣列。整個行在內部訪問一次，無論是讀取還是寫入一個字節或全部八個字節。在耐久性計算中，該行中的每個字節僅被計數一次。下圖顯示了一個64字節重復循環的耐久性計算，該循環包括一個操作碼，一個起始地址和一個順序的64字節數據流。這將導致每個字節在整個循環中經歷一個持久周期。即使在40 MHz時鐘速率下，FRAM的讀寫持久性實際上也是無限的。 記憶操作 SPI接口具有高時鐘頻率，彰顯了FRAM技術的快速寫入能力。與串行閃存和EEPROM不同，FM25V10-GTR可以以總線速度執行順序寫入。不需要頁面寄存器，并且可以執行任何數量的順序寫入。 唯一序列號（僅FM25VN10） FM25VN10器件包含一個只讀的8字節序列號。它可以用來唯一地標識電路板或系統。序列號包括一個40位唯一編號，一個8位CRC和一個16位編號，可以根據客戶的要求進行定義。如果不要求客戶特定號碼，則16位客戶標識符為0x0000。 通過發出SNR操作碼（C3h）來讀取序列號。 8位CRC值可用于與控制器計算出的值進行比較。如果兩個值匹配，則說明從站和主站之間的通信沒有錯誤。該函數用于計算CRC值。為了執行計算，將7個字節的數據按照從該部分讀取的順序填充到內存緩沖區中，即字節7，字節6，字節5，字節4，字節3，字節2，字節1。序列號。計算是對7個字節執行的，結果應與8字節CRC值字節0的最后一個字節相匹配。 |
