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CYPRESS提供全面的鐵電RAM非易失性存儲器產品組合，可在斷電時立即捕獲和保存關鍵數據。在關鍵任務數據記錄應用中，例如需要高可靠性控制和吞吐量的工廠車間的高性能可編程邏輯控制器 (PLC)，或以低功耗設計的植入人體的增強生命的患者監護設備，小尺寸內存，賽普拉斯FRAM 提供即時非易失性和幾乎無限的耐用性，而不會影響速度或能源效率。本篇文章介紹64Kbit非易失性鐵電存儲器FM25640B。 功能說明 FM25640B是一款采用先進鐵電工藝的64Kbit非易失性鐵電存儲器。鐵電隨機存取存儲器或FRAM是非易失性的，執行類似于RAM的讀取和寫入。它提供151年的可靠數據保留，同時消除由串行閃存、EEPROM和其他非易失性存儲器引起的復雜性、開銷和系統級可靠性問題。 與串行閃存和EEPROM不同，FM25640B以總線速度執行寫操作。不會產生寫入延遲。每個字節成功傳輸到設備后，數據立即寫入存儲器陣列。無需數據輪詢即可開始下一個總線周期。此外，與其他非易失性存儲器相比，該產品提供了可觀的寫入耐久性。FM25640B能夠支持1014個讀/寫周期，或比EEPROM多1億倍的寫周期。 這些功能使FM25640B非常適合需要頻繁或快速寫入的非易失性存儲器應用。示例范圍從數據收集（其中寫入周期數可能至關重要）到要求苛刻的工業控制（其中串行閃存或EEPROM的長寫入時間可能導致數據丟失）。 FM25640B為串行EEPROM或閃存作為硬件替代品的用戶提供了巨大的好處。FM25640B采用高速SPI總線，增強了FRAM技術的高速寫入能力。器件規格在–40℃至+85℃的工業溫度范圍內得到保證。 特征 ■64-Kbit鐵電隨機存取存儲器(FRAM)邏輯上組織為8K×8 ❐高續航100萬億（1014）讀/寫 ❐151年的數據保留期 ❐NoDelay™寫入 ❐先進的高可靠性鐵電工藝 ■非�？焖俚拇型庠O接口(SPI) ❐高達20MHz的頻率 ❐串行閃存和EEPROM的直接硬件更換 ❐支持SPI模式0(0,0)和模式3(1,1) ■完善的寫保護方案 ❐使用寫保護(WP)引腳的硬件保護 ❐使用寫禁用指令的軟件保護 ❐針對1/4、1/2或整個陣列的軟件塊保護 ■低功耗 ❐250μA1MHz時的有功電流 ❐4μA（典型值）待機電流 ■電壓操作：VDD=4.5V至5.5V ■工業溫度：–40℃至+85℃ ■8引腳小外形集成電路(SOIC)封裝 ■符合有害物質限制(RoHS) 功能概述 FM25640B是串行FRAM存儲器。存儲器陣列在邏輯上組織為8K×8位，并使用行業標準串行外設接口(SPI)總線進行訪問。FRAM的功能操作類似于串行閃存和串行EEPROM。FM25640B與具有相同引腳排列的串行閃存或EEPROM之間的主要區別在于FRAM的卓越寫入性能、高耐用性和低功耗。 內存架構 訪問FM25640B時，用戶尋址8K個位置，每個位置8個數據位。這八個數據位串行移入或移出。這些地址使用SPI協議訪問，該協議包括芯片選擇（允許總線上的多個設備）、操作碼和兩字節地址。地址范圍的高3位是“無關”值。13位的完整地址唯一地指定了每個字節的地址。 FM25640B的大多數功能要么由SPI接口控制，要么由板載電路處理。存儲器操作的訪問時間基本上為零，超出了串行協議所需的時間。即以SPI總線的速度讀取或寫入存儲器。與串行閃存或EEPROM不同，由于寫入是以總線速度進行的，因此無需輪詢設備是否處于就緒狀態。當一個新的總線事務可以轉移到設備中時，寫操作就完成了。這在接口部分有更詳細的解釋。 FM25640B除了一個簡單的內部上電復位電路外，不包含任何電源管理電路。用戶有責任確保VDD在數據表容差范圍內，以防止錯誤操作。建議不要在芯片使能激活的情況下關斷器件。 串行外設接口-SPI總線 FM25640B是SPI從設備，運行速度高達20MHz。這種高速串行總線為SPI主設備提供高性能串行通信。許多常見的微控制器具有允許直接接口的硬件SPI端口。對于沒有的微控制器，使用普通端口引腳模擬端口非常簡單。 |
| CYPRESS提供全面的鐵電RAM非易失性存儲器產品組合，可在斷電時立即捕獲和保存關鍵數據。在關鍵任務數據記錄應用中，例如需要高可靠性控制和吞吐量的工廠車間的高性能可編程邏輯控制器 (PLC)，或以低功耗設計的植入人體的增強生命的患者監護設備，小尺寸內存，賽普拉斯FRAM 提供即時非易失性和幾乎無限的耐用性，而不會影響速度或能源效率。 |
| FM25640B是一款采用先進鐵電工藝的64Kbit非易失性鐵電存儲器。鐵電隨機存取存儲器或FRAM是非易失性的，執行類似于RAM的讀取和寫入。它提供151年的可靠數據保留，同時消除由串行閃存、EEPROM和其他非易失性存儲器引起的復雜性、開銷和系統級可靠性問題 |
