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橫跨多重電子應用領域、全球領先的航天用半導體芯片供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）宣布其歐洲抗輻射航天用半導體產品組合新增四款獲得QML V官方認證的放大器芯片。新產品的認證進一步鞏固了意法半導體抗輻射模擬器件的堅實基礎。意法半導體的抗輻射模擬器件具有極強的抗輻射性能，在已發(fā)現(xiàn)的惡劣太空環(huán)境中能夠正常運行，確保設備具有更長的耐用性。 意法半導體高可靠性和標準產品部總經理Alberto De Marco表示：“衛(wèi)星產業(yè)協(xié)會研究報告數(shù)據(jù)顯示，全球衛(wèi)星產業(yè)正在健康發(fā)展。2010年全球衛(wèi)星市場收入總計1681億美元，近五年來平均增長率超過11.2%[1] 。在娛樂、導航、通信等很多日常生活方面我們都離不開衛(wèi)星，衛(wèi)星的功能和可靠性極其重要，意法半導體推出的這四款全新產品能夠在太空中承受現(xiàn)已發(fā)現(xiàn)的輻射強度對于衛(wèi)星正常運轉至關重要。” 意法半導體以300 krad(Si)的標準抗離子化輻射能力（總離子化劑量測試，簡稱TID）（包括抗低速率輻射測試）而成為航天工業(yè)的半導體器件抗輻射參考標準。無增強型低劑量速率敏感效應（ELDRS-free）芯片讓意法半導體成為首家獲得抗輻射保證 （RHA）認證的半導體供應商。通過推出無單粒子閂鎖（SEL）效應和無單粒子錯誤中斷（SEFI）效應的器件，意法半導體取得了市場上最高的抗離子化輻射能力，將防止重離子引起燒傷的抗輻射技術提高至新的水平。在這些新產品中，意法半導體領先市場的尖端技術還包括單粒子瞬變（SET）保護功能。單粒子瞬變現(xiàn)象是重離子引起的瞬間錯誤，是航天用模擬器件必須克服的一大挑戰(zhàn)。 新產品包括以下四款芯片： - RHF484：由4個RHF43B組成的4路運算放大器，可替代工業(yè)標準運算放大器芯片，采用Flat-14W封裝，2011年通過QML V認證。 - RHF310和RHF330是超低功耗5V運算放大器，是各種信號調節(jié)應用的理想選擇。120MHz和1.0GHz兩個型號已取得QML V證書。另一款產品550 MHz RHF350預計于2011年第四季度通過認證。 意法半導體航天用模擬器件在設計方面特別關注單粒子瞬變效應，并經過了全面的特征化分析，擁有瞬間錯誤脈沖的振幅低，時間短的特性。 意法半導體的抗輻射模擬芯片均采用BICMOS制程，功耗極低。在法國國家宇航空研究中心（CNES）的積極支持下，這些器件通過測試后直接進入歐洲產品目錄（EPPL） 。 意法半導體 QML V模擬產品主要特性 ·通過QML V質量認證300 krad (Si)總離子化劑量（TID）測試 ·無ELDRS（增強型低劑量速率敏感性）效應 ·單粒子閂鎖（SEL）防護能力：110 MeV/mg/cm²（125 °C） ·完整的單粒子瞬變特征化分析 ·氣密封裝 ·歐洲出口認證產品 關于航天用半導體產品 抗輻射是航天元器件的主要要求。在太空中存在大量的輻射源，例如，范艾倫輻射帶、太陽風、太陽耀斑、銀河宇宙射線。 抗輻射器件能夠在這種環(huán)境條件下長時間正常運行，可靠性或使用壽命不會因為粒子（大多數(shù)是質子、電子和重離子）輻射而受到影響。在受到重離子輻射時，半導體的瞬態(tài)特性至關重要。 總離子化劑量測試用于在給定劑量速率條件下測量某一個產品抵抗質子和電子引起的離子化的抗輻射性能，測量單位為krad (Si)，劑量速率分為高、低或增強三個級別。 為驗證輻射對每個元器件的影響程度，意法半導體對認證產品進行了重離子抗輻射測試。每個測試過程均是從連續(xù)提高輻射能量直到發(fā)現(xiàn)被測器件失效為止。BICMOS模擬產品經過以下各種測試： 單粒子閂鎖測試 單粒子瞬變測試 單粒子錯誤中斷測試 航天工業(yè)的高可靠性要求遠遠高于抗輻射要求。歐洲航天器件委員會（ESCC）或美國國防后勤局（哥倫布國防物資中心的前身）等政府機構負責指定廠商的認證和產品制造及質檢相關規(guī)范。 意法半導體積極參與這些機構的活動（1977年成為第一個ESCC認證企業(yè)） ，并按照這兩大全球認可的質量體系研發(fā)航天用半導體技術產品。 QML V器件的質量和制程符合美國國防后勤局公布的MIL-STD-38535或MIL-STD-883軍用產品標準。QML V質檢包括QML V 規(guī)范明確規(guī)定的一系列可靠性和抗輻射測試。 
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