貿澤備貨Qorvo QPD0011 GaN-on-SiC HEMT，賦能4G和5G通信應用

發布時間：2021-8-23 15:44 發布者：eechina

貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始備貨Qorvo QPD0011高電子遷移率晶體管 (HEMT)。此碳化硅基氮化鎵 (GaN-on-SiC) 晶體管性能優異，可為5G大規模MIMO、LTE和WCDMA系統中的蜂窩基站和射頻應用提供支持。

貿澤電子備貨的Qorvo QPD0011是一款非對稱雙路放大器，采用7.0 mm×6.5 mm小型DFN封裝。QPD0011具有30 W到60 W的可變輸入功率、+48 V的漏極電壓、3.3 GHz至.6 GHz的工作電壓，以及高達13.3 dB的增益，并能在Doherty設計環境中實現高達90 W的超高效信號峰值功率。

為了便于開發，Mouser還提供了配套的QPD0011EVB1評估板。此平臺包括一個示例應用電路，在與現有設計結合使用時可加快原型設計速度。QPD0011適用于宏蜂窩小區和微小區基站、有源天線以及非對稱Doherty設計等應用。

如需進一步了解QPD0011 GaN-on-SiC HEMT，敬請訪問https://www.mouser.cn/new/qorvo/qorvo-qpd0011-48v-gan-sic-hemt/。

本文地址：http://www.qingdxww.cn/thread-772880-1-1.html 【打印本頁】

本站部分文章為轉載或網友發布，目的在于傳遞和分享信息，并不代表本網贊同其觀點和對其真實性負責；文章版權歸原作者及原出處所有，如涉及作品內容、版權和其它問題，我們將根據著作權人的要求，第一時間更正或刪除。