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新增的9款器件可實現更高水平的設計靈活性 UnitedSiC（聯合碳化硅）公司，現已發布業界最佳的750V、6mΩ器件，從而響應了電源設計人員對更高性能、更高效率的SiC FET的需求。這款6mΩ新器件的RDS(on)值不到最接近的SiC MOSFET競爭產品的一半，并且還提供了魯棒的5μs額定短路耐受時間。今天所發布的產品包括750V SiC FET系列中的9種新器件/封裝選項，額定值為6、9、11、23、33和44mΩ。所有器件均有采用TO-247-4L封裝的方案，同時18、23、33、44和60mΩ器件還提供了采用TO-247-3L封裝的方案。這一750V擴展系列與現有的18和60mΩ器件相輔相成，其為設計人員提供了更多的器件方案，實現了更大的設計靈活性，因此可實現最佳的性價比權衡，同時保持充足的設計裕度和電路魯棒性。 
UnitedSiC的第4代SiC FET采用了“共源共柵”拓撲結構，其內部集成了一個SiC JFET并將之與一個硅MOSFET封裝在一起。這兩者結合起來就提供了寬禁帶技術的全部優勢——可實現高速和低損耗以及高溫工作，同時還可保持簡單、穩定和魯棒的柵極驅動，并具有集成的ESD保護。這些優勢可通過品質因數(FoM)進行量化，例如RDS(on)×A，這個指標衡量了每單位芯片面積的傳導損耗。在這一指標上，第4代SiC FET在高低裸片溫度下均可達到市場最低值。RDS(on)×EOSS/QOSS這一FoM在硬開關應用中很重要，第4代SiC FET的這個值是最接近的競爭對手值的一半。RDS(on)×COSS(tr)這一FoM則在軟開關應用中至關重要，如果將UnitedSiC額定電壓為750V的器件與競爭對手額定電壓為650V的器件相比，前者的這個值比后者低約30%。對于硬開關應用，SiC FET的集成體二極管在恢復速度和正向壓降方面優于競爭對手的Si MOSFET或SiC MOSFET技術。第4代技術中所包含的其他優勢，則是通過先進的晶圓減薄技術和銀燒結貼片工藝降低了從裸片到外殼的熱阻。這些特性可在要求苛刻的應用中實現最大功率輸出，同時實現低芯片溫升。 新的UnitedSiC SiC FET憑借其在開關效率和導通電阻方面的最新改進，非常適合具有挑戰性的新興應用。其中包括電動汽車中的牽引驅動器以及車載和非車載充電器，以及可再生能源逆變器、功率因數校正、電信轉換器以及所有AC/DC或DC/DC功率轉換中單向和雙向功率轉換的所有階段。成熟的應用也可以從使用這種器件中受益——可以憑借其與Si MOSFET和IGBT柵極驅動器以及成熟的TO-247封裝的向后兼容性來輕松提高效率。 正如UnitedSiC總裁兼首席執行官Chris Dries所述：“UnitedSiC第4代SiC FET無疑是競爭技術中的性能領導者，并為寬禁帶開關技術樹立了新的標桿。新增的產品系列現在為所有的性能和預算規格以及更廣泛的應用提供了更多選擇。” 新款750V第4代SiC FET的定價（1000片起，美國離岸價）從UJ4C075044K3S的4.15美元到UJ4SC075006K4S的23.46美元不等。所有器件均可從授權分銷商處購買。 |
