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使用非易失性FRAM替換SRAM時的問題和解決方案

發布時間：2022-1-12 17:20 發布者：英尚微電子

關鍵詞： FRAM , SRAM

   FRAM是一種非易失性存儲器產品，具有讀寫耐久性高、寫入速度快、功耗低等優點。

   富士通并行接口的8Mbit FRAM MB85R8M2T。保證寫入壽命超過10萬億次，運行速度與SRAM相同，TSOP封裝與SRAM兼容。MB85R8M2TA具有與SRAM兼容的并行接口，可在1.8V至3.6V的寬電源電壓范圍內運行。

   在快速頁面模式下，FRAM能夠運行到25ns，在連續數據傳輸時，其訪問速度與SRAM一樣高。與富士通的傳統FRAM產品相比，它不僅實現了更高的運行速度，而且降低了功耗。該FRAM的最大寫入電流為18mA，比目前的產品低10%，最大待機電流為150μA，低50%。

   在某些情況下可以省去SRAM所需的數據備份電池。富士通的FRAM產品可以解決因用非易失性存儲器取代SRAM而產生的以下問題：

   問題：更改接口設計和PCB設計的額外工作
   解決方案：使用與SRAM接口和SRAM封裝兼容的FRAM

   問題：難以用寫入速度非常慢的非易失性存儲器替代
   解決方案：使用具有快速寫入操作的FRAM，頁面模式下最大25ns

   問題：寫入壽命高達10萬億次導致設計限制
   解決方案：使用寫入壽命高達100萬億次的FRAM

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