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SST26LF064RT存儲器產(chǎn)品是Microchip的第二款宇航級SuperFlash產(chǎn)品 航天器系統(tǒng)設計人員非常需要縮短系統(tǒng)開發(fā)時間，并降低系統(tǒng)開發(fā)成本和風險。Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）提出從商用現(xiàn)貨（COTS）器件開始，然后用宇航級等效耐輻射（RT）元件進行替換的理念。Microchip今日宣布擴展其基于商用現(xiàn)貨技術的耐輻射SuperFlash產(chǎn)品系列，將Microchip存儲器技術無與倫比的50千拉德（krad）總電離劑量（TID）耐受引入64兆位串行四通道I/O NOR閃存器件，用于惡劣的航天和國防系統(tǒng)環(huán)境。 
Microchip航天與國防業(yè)務部助理副總裁Bob Vampola表示：“SST26LF064RT SuperFlash器件為64兆位串行四通道I/O存儲器解決方案帶來市場上最佳的TID性能，可與各種空間應用中的任何基于SRAM的FPGA一起工作。這款器件適合近地軌道（LEO）空間衛(wèi)星和其他惡劣輻射環(huán)境中所用的系統(tǒng)，在這些環(huán)境中存儲驅(qū)動完整系統(tǒng)的關鍵軟件代碼或比特流需要配套閃存。” 與常規(guī)堆疊式柵極閃存相比，Microchip SuperFlash NOR閃存產(chǎn)品提供專有分離式柵極單元架構以改善性能、提高數(shù)據(jù)保留和可靠性。這些產(chǎn)品消除了電源管理切換的復雜性，即使在閃存仍處于供電和系統(tǒng)運行狀態(tài)時（比如衛(wèi)星機載計算機和面向電機、傳感器、太陽能電池板與配電的不同類型控制器），也能實現(xiàn)業(yè)內(nèi)高TID。Microchip RT SuperFlash技術已在工業(yè)應用中得到驗證，現(xiàn)已作為并行接口解決方案與64兆位SST38LF6401RT器件配合使用，該器件現(xiàn)已通過宇航級認證，可用于航天器搭載模型。借助SST26LF064RT產(chǎn)品，設計人員現(xiàn)在還可以選擇串行四通道I/O 64兆位存儲器。 應用筆記說明如何將64兆位串行SuperFlash器件與Microchip的SST26LF064RT RT閃存參考評估板和宇航級基于SRAM 的FPGA配合使用。與Microchip的并行SuperFlash存儲器一樣，串行SuperFlash產(chǎn)品也可用作FPGA和其他Microchip解決方案的配置存儲器，比如基于arm Cortex-M7的SAMRH707抗輻射單片機（MCU）。該產(chǎn)品也可與RT PolarFire FPGA配合使用，以支持航天器搭載系統(tǒng)的重新配置 供貨 Microchip RT SST26LF064RT SuperFlash存儲器現(xiàn)在提供陶瓷封裝樣品。此外，SST38LF6401RT（并行）陶瓷和塑封型航天型號現(xiàn)已供貨。這些器件與耐輻射FPGA（RTG4和耐輻射Polarfire）、抗輻射微處理器SAMRH71和抗輻射單片機SAMRH707互補。如需了解更多信息（包括價格），請聯(lián)系Microchip代表或全球授權分銷商。 |
