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富士通半導體存儲器解決方案有限公司推出12Mbit ReRAM（電阻式隨機存取存儲器）MB85AS12MT，這是富士通ReRAM產品系列中密度最大的產品。 ReRAM電阻式隨機存取存儲器是一種非易失性存儲器，其中將脈沖電壓施加到薄金屬氧化物膜上，從而在記錄1和0的電阻上產生巨大的變化。其電極間采用金屬氧化物的簡單結構，制造工藝非常簡單，同時仍具有低功耗、寫入速度快等優良特性。 MB85AS12MT該新產品是一種非易失性存儲器，具有12Mbit的大存儲密度，封裝尺寸約為2mmx3mm。它在讀取操作期間具有平均0.15mA的極低讀取電流。該產品具有封裝尺寸小、讀取電流小等特點，非常適用于助聽器、智能手表等可穿戴設備。 MB85AS12MT是一款具有12Mbit存儲密度的非易失性存儲器，可在1.6V至3.6V的寬電源電壓范圍內工作。新的ReRAM產品的內存密度是現有8MbitReRAM的1.5倍，同時保持相同的封裝尺寸WL-CSP（晶圓級芯片尺寸封裝）和相同的引腳分配。該產品可以在大約2mmx3mm的小包裝尺寸中存儲大約90頁報紙的字符數據。 MB85AS12MT使用的WL-CSP與經常用于具有串行外設接口(SPI)的存儲設備的8引腳SOP相比，可以節省大約80%的安裝表面積。 與其他非易失性存儲器相比，新的ReRAM產品具有極小的讀取電流水平。在5MHz工作頻率下，平均讀取電流小至0.15mA，甚至在10MHz工作時最大讀取電流為1.0mA。因此，通過將MB85AS12MT安裝在具有頻繁數據讀取操作（例如特定程序讀取或設置數據讀取）的電池供電設備中，可以最大限度地減少電池消耗。它非常適合用于電池供電的小型可穿戴設備，例如助聽器和智能手表。 富士通半導體存儲器解決方案在繼續為需要頻繁數據重寫的客戶設備尋求更大密度的FRAM產品的同時，一直在開發新的非易失性存儲器以滿足頻繁讀取數據的要求，從而引入了這種新的12Mbit ReRAM產品。富士通半導體內存解決方案不斷開發各種低功耗內存產品以滿足客戶的需求。 |
