|
| SiC MOS通過(guò)了車規(guī)級(jí)AEC-Q101 |
| 驅(qū)動(dòng)電壓12V 很好 |
| 耐壓從650V-3300V全部批量出貨、雪崩能量高、可靠性好 |
| 耐壓從650V-3300V全部批量出貨 |
| 驅(qū)動(dòng)電壓12V 厲害 |
| 太陽(yáng)能光伏并網(wǎng)發(fā)電及其逆變控制(新能源與微電網(wǎng)技術(shù)) |
| SiCMOS的主要優(yōu)點(diǎn)是開(kāi)關(guān)頻率高、導(dǎo)通損耗低、效率更高且熱管理系統(tǒng)更簡(jiǎn)單。 |
| 1700V20mohm 1700V750mohm等等 |
|
1700V5A:12~15V的電壓也在控制芯片I/O口的輸出范圍之內(nèi)，因此可以采用控制芯片的I/O口直接進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。現(xiàn)在市場(chǎng)上主流的控制芯片的都可以滿足該要求。 |
1700V5A:12~15V的電壓也在控制芯片I/O口的輸出范圍之內(nèi) |
| 碳化硅MOS管國(guó)產(chǎn)從650V-1200V-1700V-3300V，后續(xù)推出6500V。電子工程網(wǎng) http://www.qingdxww.cn/thread-826808-1-1.html |
