大聯(lián)大旗下世平推出基于安森美（onsemi）FAN65008B同步降壓IC的5G基站電源方案。
圖示1-大聯(lián)大世平集團(tuán)推出基于onsemi產(chǎn)品的5G基站電源方案的展示板圖 5G時(shí)代的到來(lái)，從根本上顛覆了現(xiàn)有的傳統(tǒng)通訊方式，它加速了現(xiàn)實(shí)社會(huì)與互聯(lián)網(wǎng)空間的快速融合，讓人與人、人與機(jī)器的交互都步入了一個(gè)全新的水平。而發(fā)展5G的一重要目標(biāo)就是在提高信息傳輸速率、減少延遲的同時(shí)，節(jié)約能源、降低系統(tǒng)成本。隨著5G信號(hào)大規(guī)模覆蓋需求增大，大量5G基站的建設(shè)已迫在眉睫，這勢(shì)必會(huì)為電源市場(chǎng)帶來(lái)新的機(jī)會(huì)。順應(yīng)此趨勢(shì)，大聯(lián)大世平基于安森美FAN65008B同步降壓IC推出了5G基站電源方案。
圖示2-大聯(lián)大世平集團(tuán)推出基于onsemi產(chǎn)品的5G基站電源方案的場(chǎng)景應(yīng)用圖 安森美FAN65008B是一款高性能同步PWM降壓穩(wěn)壓器，其集成了高邊和低邊功率MOSFET，支持從4.5V到65V的寬電壓范圍，能夠處理的連續(xù)電流高達(dá)10A。此外，onsemi的PowerTrench MOSFET工藝與領(lǐng)先業(yè)界的封裝技術(shù)將FAN65008B集成在一個(gè)四方扁平無(wú)引線（PQFN）封裝中，能夠在電源路徑上提供極低的寄生效應(yīng)，使開發(fā)人員能夠?qū)崿F(xiàn)98.5%的峰值能效。這意味著使用FAN65008B比使用一個(gè)外部MOSFET的方案具有更低的振鈴和更低的電磁干擾性（EMI）。除了上述特性，F(xiàn)AN65008B還具有可調(diào)過(guò)流保護(hù)、熱關(guān)斷、過(guò)壓保護(hù)和短路保護(hù)等功能，可以保護(hù)器件本身和任何下游電路不受損害。
圖示3-大聯(lián)大世平集團(tuán)推出基于onsemi產(chǎn)品的5G基站電源方案的方塊圖 在5G技術(shù)發(fā)展如此快速的進(jìn)程中，基站電源要兼顧低成本、高能效以及方便極簡(jiǎn)、快速部署的需求，大聯(lián)大世平聯(lián)手onsemi推出的5G基站電源方案針對(duì)市場(chǎng)痛點(diǎn)進(jìn)行優(yōu)化，能夠滿足行業(yè)需求，助力5G基站建設(shè)快速推進(jìn)。 核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)： 寬輸入電壓范圍：4.5V至65V； 連續(xù)輸出電流：10A； 具有輸入電壓前饋的固定頻率電壓模式PWM控制； 0.6V參考電壓，精度為0.67%； 可調(diào)開關(guān)頻率：100kHz至1MHz； 雙LDO用于單電源操作并減少功率損耗； 用于輕負(fù)載的可選CCM PWM模式或PFM模式； 寬工作范圍的外部補(bǔ)償； 可調(diào)軟啟動(dòng)和Pre−Bias啟動(dòng)； Enable功能具有可調(diào)節(jié)的輸入電壓欠壓鎖定（UVLO）； Power Good指示； 過(guò)流保護(hù)、熱關(guān)斷、過(guò)壓保護(hù)、欠壓保護(hù)和短路保護(hù)； 高性能薄型6mm x 6mm PQFN封裝； 無(wú)鉛且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。 方案規(guī)格： 輸入電壓范圍：30V至60V； 輸出電流：10A； 輸出電壓：24V； 輸出電壓漣波：40mVp-p； 切換頻率：300kHz。 |
