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PSRAM存儲芯片是常用的外部存儲設備。具有SRAM接口協議、給出地址、讀寫指令、實現數據存儲。不需要復雜的內存控制器來控制內存單元來定期刷新數據。傳統的SRAM它由六個晶體管組成cell，而psram它由一個晶體管制成一個電容構成一個存儲cell，因此psram可實現較大的存儲容量。 串行PSRAM的低引腳封裝和傳統RAM儲存相比，具有尺寸小、成本低等優點。串行psram對外互聯通過八路串聯，最高為200MHz雙倍數據速率在速度下，可實現超3Gbps帶寬傳送。相比較于傳統存儲器具有更大的帶寬。 串行PSRAM選用DRAM架構，能有效壓縮芯片體積，串行psram生產成本接近DRAM成本，具有成本較低的優勢。psram自刷新無需刷新電路即可存儲其內部存儲的數據；DRAM每隔一段時間，刷新充電一次，否則內部數據就會消失，psram相比傳統RAM會有更廣泛的應用。 PSRAM目前支持的標準有JEDEC JESD251A(Profile 2.0)、HyperRAM、Xccela standards，其對應的廠家為apmemory。 APS6404L該PSRAM存儲器器件具有高速，低引腳數接口。具有4個SDR I/O引腳，并以高達144 MHz的頻率在SPI或QPI模式下運行。適合于低功耗和低成本便攜式應用。結合了無縫的自我管理刷新機制。因此它不需要系統主機支持DRAM刷新。采用小尺寸封裝8引線USON-8L 3x2mm。AP Memory代理商英尚微電子提供驅動、例程以及必要的FAE支持。 |
