大聯(lián)大旗下詮鼎推出基于英諾賽科（Innoscience）INN650D01場(chǎng)效應(yīng)晶體管的高效超薄型200W LED驅(qū)動(dòng)電源方案。
圖示1-大聯(lián)大詮鼎基于Innoscience產(chǎn)品的高效超薄型200W LED驅(qū)動(dòng)電源方案的展示板圖 隨著人們對(duì)燈具品質(zhì)的要求越來越高，傳統(tǒng)的LED驅(qū)動(dòng)器已經(jīng)無法滿足小而薄的燈具設(shè)計(jì)。并且由于LED需要長(zhǎng)期在狹小空間內(nèi)工作，因此散熱性也是一個(gè)嚴(yán)重制約應(yīng)用安全的問題。在這種情況下，將高頻高效的氮化鎵應(yīng)用于LED驅(qū)動(dòng)電源上，借助氮化鎵高頻、高轉(zhuǎn)換效率、高擊穿電壓等特性，可以有效縮小產(chǎn)品體積并減少發(fā)熱情況，是高端燈具的理想選擇。由大聯(lián)大詮鼎基于Innoscience INN650D01場(chǎng)效應(yīng)晶體管推出的高效超薄型200W LED驅(qū)動(dòng)電源方案能夠滿足LED小型化設(shè)計(jì)的同時(shí)，提供高效的電源轉(zhuǎn)換能力。
圖示2-大聯(lián)大詮鼎基于Innoscience產(chǎn)品的高效超薄型200W LED驅(qū)動(dòng)電源方案的場(chǎng)景應(yīng)用圖 本方案采用超薄設(shè)計(jì)，其內(nèi)置Innoscience的高頻高效功率管INN650D01+INN650D02，采用PFC+LLC+SR架構(gòu)，具有可達(dá)35W/in3的高功率密度，峰值效率達(dá)96%。借助此方案可大大提升LED的照明效率，減小產(chǎn)品體積，非常適用于對(duì)空間限制有嚴(yán)苛要求的應(yīng)用。 英諾賽科（Innoscience）是一家致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵外延及器件研發(fā)與制造的高新技術(shù)企業(yè)，采用IDM（Integrated Device Manufacture）全產(chǎn)業(yè)鏈模式，建立了全球首條產(chǎn)能最大的8英寸GaN-on-Si晶圓量產(chǎn)線。公司核心技術(shù)團(tuán)隊(duì)由眾多資深的國(guó)際一流半導(dǎo)體專家組成，公司的目標(biāo)是以更低的價(jià)格，向客戶提供品質(zhì)一流、可靠性優(yōu)異的GaN器件，并且實(shí)現(xiàn)GaN技術(shù)在市場(chǎng)的廣泛應(yīng)用。在本方案中采用的INN650D01是公司旗下的增強(qiáng)型氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，具有高頻高功率的特性。
圖示3-大聯(lián)大詮鼎基于Innoscience產(chǎn)品的高效超薄型200W LED驅(qū)動(dòng)電源方案的方塊圖 在以氮化鎵為首的第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)用越來越廣泛的今天，大聯(lián)大詮鼎攜手氮化鎵器件制造專家Innoscience聯(lián)手推出的200W LED驅(qū)動(dòng)電源方案將先進(jìn)的氮化鎵技術(shù)應(yīng)用其中，能夠在提高電源效率的同時(shí)，顯著縮小LED燈具的體積，降低散熱需求，滿足市場(chǎng)對(duì)于大功率、輕薄型LED燈具設(shè)計(jì)需求。 核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)： INN650D01 Vds最大650V； Rds最大130mΩ； Qg典型值0.9nC； Ids最大34A； Qoss典型值26nC； Qrr典型值0nC。 方案規(guī)格： 輸入電壓：Vac180-264V； 輸入電壓頻率：50Hz； 輸出電壓：48V（恒流輸出（4.2A））； 輸出最大功率：200W； 輸出電壓紋波：＜500mV； 最高效率：96%； 板長(zhǎng)寬厚196*35*13mm。 |
