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來源：中國電子報(bào) 張心怡 電子材料咨詢機(jī)構(gòu)TECHCET近期研報(bào)（以下簡稱研報(bào)）顯示，隨著高端芯片所需的先進(jìn)制程工藝加速引入EUV，金屬氧化物、干沉積、多觸發(fā)等EUV光刻膠的市場規(guī)模將在2025年超過2億美元。 光刻膠是光刻工藝的核心耗材，EUV光刻膠是其中發(fā)展最快的品類之一。TECHCET此前報(bào)告指出，用于半導(dǎo)體的光刻膠的營收規(guī)模預(yù)計(jì)在2022年增長7.5%至23億美元，2025年超過25億美元，2021年—2026年復(fù)合增長率為5.9%。而EUV光刻膠2021年的市場規(guī)模僅約0.6億美元，預(yù)計(jì)到2025年達(dá)到2億美元，2020年-2025年復(fù)合增長率達(dá)50%，遠(yuǎn)高于光刻膠市場平均增速。 研報(bào)指出，金屬氧化物、干沉積、多觸發(fā)等光刻膠材料在EUV技術(shù)平臺(tái)有著較為廣闊的應(yīng)用前景。金屬氧化物光刻膠具有高耐蝕性，可以消除在抗蝕劑上面所需的額外層。干沉積光刻膠提供了消除液體顯影和沉積的機(jī)會(huì)。多觸發(fā)光刻膠能夠持續(xù)使用較低的曝光能量，在多次曝光中發(fā)揮作用。 目前，IC、存儲(chǔ)器等半導(dǎo)體器件制造廠商都在引入EUV技術(shù)。在邏輯IC方面，隨著先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)的不斷引入，EUV技術(shù)被規(guī)模化應(yīng)用，EUV光刻膠的市場規(guī)模快速增長。在存儲(chǔ)器方面，存儲(chǔ)廠商已經(jīng)開始將EUV技術(shù)引入DRAM生產(chǎn)。除了光刻膠，EUV也帶來了掃描儀光學(xué)器件和3D模式技術(shù)等一系列變化。 而g線、i線、KrF、ArF等相對成熟制程使用的光刻膠也有望保持增長。KrF光刻膠在3D NAND存儲(chǔ)器用量和堆疊層數(shù)不斷增加的過程中保持增長。ArF光刻膠也隨著多重曝光技術(shù)的使用實(shí)現(xiàn)增長。 “隨著晶圓代工廠在先進(jìn)制程的資本支出越來越高，光刻材料在半導(dǎo)體制造中變得至關(guān)重要，是光刻加工的重要組成。因此，EUV等材料和工藝創(chuàng)新會(huì)加速發(fā)展。”TECHCET首席執(zhí)行官Lita Shon-Roy表示。 研報(bào)顯示，在EUV光刻膠等材料的推動(dòng)下，光刻材料市場有望在未來3-4年隨著細(xì)線寬（孔間四條線或平均線寬在5～6mil以下稱為細(xì)線）器件制造實(shí)現(xiàn)5倍的增長。 |
