SRAM與ROM和Flash Memory的區(qū)別

英尚微電子

靜態(tài)SRAM不需要刷新，速度可以很快，比如，CPU內(nèi)部的cache，都是靜態(tài)RAM,缺點是內(nèi)存單元需要大量的晶體管，所以價格昂貴，容量小。SRAM靜態(tài)隨機存取存儲器加電時，無需刷新，數(shù)據(jù)不會丟失，一般不是行列地址復(fù)用。

SRAM它是一種半導(dǎo)體存儲器。靜態(tài)是指只要不掉電，存儲就存在SRAM中間的數(shù)據(jù)不會丟失。這與此同時。DRAM不同,DRAM需要定期刷新操作。

我們不應(yīng)將SRAM與ROM和Flash Memory混淆，因為SRAM它是一種容易丟失的存儲器，只有在電源連續(xù)供應(yīng)時才能保持數(shù)據(jù)。隨機訪問是指存儲器的內(nèi)容可以以任何順序訪問，無論之前訪問的位置如何。

SRAM每個晶體管都存儲在四個晶體管中，形成兩個交叉耦合反向器。存儲單元有兩個穩(wěn)定狀態(tài)，通常為0和1。此外還需要兩個訪問晶體管來控制存儲單元在閱讀或?qū)懽鬟^程中的訪問。因此存儲位通常需要六個MOSFET。使電路結(jié)構(gòu)對稱SRAM訪問速度要快于DRAM。

SRAM比DRAM訪問速度快的另一個原因是SRAM所有地址位置都可以一次接收，而且DRAM使用行地址和列地址復(fù)用結(jié)構(gòu)。

SRAM不應(yīng)該與SDRAM相混淆,SDRAM代表同步DRAM,這與SRAM完全不同。

SRAM也不應(yīng)該與PSRAM相混淆，pSRAM是一種偽裝SRAM的DRAM。