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測試背景 地點：國外某知名品牌半導(dǎo)體企業(yè)，深圳氮化鎵實驗室 測試對象：氮化鎵半橋快充 測試原因：因高壓差分探頭測試半橋上管Vgs時會炸管，需要對半橋上管控制信號的具體參數(shù)進行摸底測試 測試探頭：麥科信OIP系列光隔離探頭 現(xiàn)場條件 因該氮化鎵快充PCBA設(shè)計密度很高，阻容采用0402器件，只能采用不是最優(yōu)方案的同軸延長線連接（通常推薦采用MCX母座連接，可最大限度減少引線誤差）。 現(xiàn)場連接圖如下： 
▲圖1：接線 現(xiàn)場測試步驟 1.將探頭連接10X衰減器，并將衰減器插入同軸延長線； 2.將OIP探頭連接示波器第4通道并開機； 3.將示波器對應(yīng)通道衰減比設(shè)置10X，將輸入電阻設(shè)置為50Ω； 4.給目標(biāo)板上電；
▲圖2：測試場景1
▲圖3：測試場景2 測試結(jié)果 1.Vgs控制電壓5.1V左右，信號光滑無任何畸變； 2.上管關(guān)斷瞬間負沖0.5V左右，在氮化鎵器件安全范圍； 3.下管關(guān)斷瞬間引起的負沖在2.2V左右，在氮化鎵器件安全范圍； 4.Vgs信號上升時間240ns左右。 （以上數(shù)據(jù)通過截屏讀數(shù)）
▲圖4：測試結(jié)果截屏 結(jié)論 1.目標(biāo)板設(shè)計合理，Vgs控制信號近乎完美； 2.測試顯示Vgs信號無任何震蕩，共模干擾被完全抑制； 3.OIP系列光隔離探頭測試氮化鎵半橋上管Vgs，沒有引起炸管。 |
