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NETSOL在STT-MRAM領(lǐng)域，處于世界領(lǐng)先地位。基于在內(nèi)存相關(guān)領(lǐng)域的豐富開發(fā)經(jīng)驗(yàn)以及低成本、超小型和低功耗內(nèi)存解決方案設(shè)計(jì)的專業(yè)知識、為工業(yè)自動化、網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)、醫(yī)療、游戲、企業(yè)數(shù)據(jù)中心和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備等廣泛領(lǐng)域的各種應(yīng)用程序，提供最優(yōu)化的定制內(nèi)存解決方案。 Netsol的Parallel MRAM具有非易失特性和幾乎無限的耐用性。對于需要快速存儲和搜索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序來說，這是最理想的內(nèi)存。適用于工業(yè)設(shè)備中的代碼存儲、數(shù)據(jù)記錄、備份和工作存儲器。可替代NOR Flash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。 主要特征 容量:1Mb、2Mb、4Mb、8Mb、16Mb、32Mb,64Mb 電源供應(yīng)：1.8V（1.7V～1.95V）或3.3V（2.7V～3.6V） Parallel異步接口x16/x8I/O 數(shù)據(jù)保存期：10年 讀取耐力：無限 擦寫耐力:1014 無需外部ECC 封裝：48FBGA、44TSOP2、54TSOP2 |
