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三星電子宣布12納米級 DDR5 DRAM已開始量產

發布時間:2023-5-18 11:08    發布者:科技新思路

三星電子最新推出的DRAM將以更高的能效和生產率,優化人工智能應用在內的下一代計算

  今日,三星電子宣布其采用12納米級工藝技術的16Gb DDR5 DRAM已開始量產。三星本次應用的前沿制造工藝,再次奠定了其在尖端DRAM技術方面的優勢。

 "采用差異化的工藝技術,三星業內先進的12 納米級DDR5 DRAM具備出色的性能和能效,"三星電子內存產品與技術執行副總裁Jooyoung Lee表示,"最新推出的DRAM反映了我們持續開拓DRAM市場的決心。這不僅意味著我們為滿足計算市場對大規模數據處理的需求,提供高性能和高容量的產品,而且還將通過商業化的下一代解決方案,助力實現更高的生產力。"

  與上一代產品相比,三星最新的12納米級DDR5 DRAM功耗降低了23%,晶圓生產率提高了20%。出色的能效表現,使它能夠成為全球IT企業的服務器和數據中心節能減排的優秀解決方案。

  三星12納米級工藝技術的開發基于一種新型高κ材料,這種新型材料有助于提高電池電容。高電容使數據信號出現明顯的電位差,從而更易于準確地區分。同時,三星在降低工作電壓和噪聲方面的成果,也讓此解決方案更加適用于客戶公司的需求。

 三星12納米級DDR5 DRAM最高可支持7.2吉比特/秒(Gbps)的速度,相當于每秒可處理大約兩部30GB的超高清電影。三星為滿足客戶需求將持續擴大12納米級DRAM的產品陣容,以支持越來越多的應用,助力數據中心、人工智能在內的下一代計算。

  三星在去年12月完成了16Gb DDR5 DRAM與AMD的兼容性評估,并將繼續與全球IT公司合作,推動下一代DRAM市場的創新。

  關于三星電子

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  欲了解更多最新消息,請訪問三星新聞中心:http://news.samsung.com

  免責聲明:

  除非經特殊說明,本文中所涉及的數據均為三星內部測試結果,涉及的對比均為與三星產品相比較。


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