Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二極管，提升開關電源設計能效和可靠性

發布時間：2023-5-23 19:31 發布者：eechina

器件采用MPS結構設計，額定電流4 A~ 40 A，正向壓降、電容電荷和反向漏電流低

Vishay推出17款新型第三代650 V 碳化硅（SiC）肖特基二極管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky（MPS）結構設計，具有高浪涌電流保護能力，正向壓降、電容電荷和反向漏電流低，有助于提升開關電源設計能效和可靠性。

日前發布的新一代SiC二極管包括4A至40A器件，采用TO-22OAC 2L和TO-247AD 3L 插件封裝和D2PAK 2L（TO-263AB 2L）表面貼裝封裝。由于采用MPS結構，器件正向壓降比上一代解決方案低0.3V，正向壓降與電容電荷乘積，即電源能效重要優值系數（FOM），相比上一代解決方案降低17%。

與接近的競品解決方案相比，二極管室溫下典型反向漏電流低30%，高溫下低70%。因此降低了導通損耗，確保系統輕載和空載期間的高能效。與超快恢復二極管不同，第三代器件幾乎沒有恢復拖尾，從而能夠進一步提升效率。

與擊穿電壓相當的硅二極管相比，SiC二極管熱導率高，反向電流低，反向恢復時間短。二極管反向恢復時間幾乎不受溫度變化的影響，可在+175 C高溫下工作，不會因開關損耗造成能效變化。

器件典型應用包括發電和勘探應用領域FBPS和LLC轉換器中的AC/DC功率因數校正（PFC）和 DC/DC超高頻輸出整流。器件具有高可靠性，符合RoHS標準，無鹵素，通過2000小時高溫反偏（HTRB）測試和2000次熱循環溫度循環測試，測試時間和循環次數是AEC-Q101規定的兩倍。

產品編號	IF(AV) (A)	IFSM (A)	IF 下VF (V)	QC (nC)	配置	封裝
VS-3C04ET07S2L-M3	4	29	1.5	12	單	D2PAK 2L
VS-3C06ET07S2L-M3	6	42	1.5	17	單	D2PAK 2L
VS-3C08ET07S2L-M3	8	54	1.5	22	單	D2PAK 2L
VS-3C10ET07S2L-M3	10	60	1.46	29	單	D2PAK 2L
VS-3C12ET07S2L-M3	12	83	1.5	34	單	D2PAK 2L
VS-3C16ET07S2L-M3	16	104	1.5	44	單	D2PAK 2L
VS-3C20ET07S2L-M3	20	110	1.5	53	單	D2PAK 2L
VS-3C04ET07T-M3	4	29	1.5	12	單	TO-220AC 2L
VS-3C06ET07T-M3	6	42	1.5	17	單	TO-220AC 2L
VS-3C08ET07T-M3	8	54	1.5	22	單	TO-220AC 2L
VS-3C10ET07T-M3	10	60	1.46	29	單	TO-220AC 2L
VS-3C12ET07T-M3	12	83	1.5	34	單	TO-220AC 2L
VS-3C16ET07T-M3	16	104	1.5	44	單	TO-220AC 2L
VS-3C20ET07T-M3	20	110	1.5	53	單	TO-220AC 2L
VS-3C16CP07L-M3	2 x 8	54	1.5	22	共陰極	TO-247AD 3L
VS-3C20CP07L-M3	2 x 10	60	1.46	29	共陰極	TO-247AD 3L
VS-3C40CP07L-M3	2 x 20	110	1.5	53	共陰極	TO-247AD 3L

新型SiC二極管現可提供樣品并已實現量產，供貨周期為八周。

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