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ROHM Semiconductor GNP1 EcoGaN™650V E模式氮化鎵(GaN)FET采用低導通電阻和高速開關來提高電源轉換效率和減小尺寸。該款高度可靠的GNP1 FET具有內置ESD保護和出色的散熱性能，方便安裝。應用包括高開關頻率和高密度轉換器。 特性 》650V E模式GaN FET 》低導通電阻 》高速開關 》內置ESD保護 》高度可靠的設計 》幫助減少電源轉換效率和尺寸 》出色的散熱性能 》符合RoHS標準 應用 》高開關頻率轉換器 》高密度轉換器 規范 》GNP1070TC-Z 》DFN8080K封裝類型 》連續漏極電流范圍：7.3A至20A 》脈沖漏極電流范圍：24A至66A 》漏源電壓：650V 》瞬態漏源電壓：750V 》柵源電壓范圍：-10VDC 至+6VDC 》瞬態柵源電壓：8.5V 》+25℃時功耗：56W 》柵極輸入電阻：0.86Ω(典型值) 》輸入電容：200pF(典型值) 》輸出電容：50pF(典型值) 》輸出電荷：44nC 》總柵極電荷：5.2nC(典型值) 》典型接通延遲時間：5.9ns 》典型上升時間：6.9ns 》典型關閉延遲時間：8.0ns 》典型下降時間：8.7ns 》GNP1150TCA-Z 》DFN8080AK封裝樣式 》連續漏極電流范圍：5A至11A 》脈沖漏極電流范圍：17A至35A 》漏源電壓：650V 》瞬態漏源電壓：750V 》柵源電壓范圍：-10VDC 至+6VDC 》瞬態柵源電壓：8.5V 》+25℃時功耗：62.5W 》柵極輸入電阻：2.6Ω(典型值) 》輸入電容：112pF(典型值) 》輸出電容：19pF(典型值) 》輸出電荷：18.5nC 》典型總柵極電荷：2.7nC 》典型接通延遲時間：4.7ns 》典型上升時間：5.3ns 》典型關閉延遲時間：6.2ns 》典型下降時間：8.3ns 文章來源：http://www.ameya360.com/hangye/109156.html，如有侵權請聯系刪除！ |
