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ROHM Semiconductor GNP1 EcoGaN™650V E模式氮化鎵(GaN)FET采用低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)來提高電源轉(zhuǎn)換效率和減小尺寸。該款高度可靠的GNP1 FET具有內(nèi)置ESD保護(hù)和出色的散熱性能，方便安裝。應(yīng)用包括高開關(guān)頻率和高密度轉(zhuǎn)換器。 特性 》650V E模式GaN FET 》低導(dǎo)通電阻 》高速開關(guān) 》內(nèi)置ESD保護(hù) 》高度可靠的設(shè)計(jì) 》幫助減少電源轉(zhuǎn)換效率和尺寸 》出色的散熱性能 》符合RoHS標(biāo)準(zhǔn) 應(yīng)用 》高開關(guān)頻率轉(zhuǎn)換器 》高密度轉(zhuǎn)換器 規(guī)范 》GNP1070TC-Z 》DFN8080K封裝類型 》連續(xù)漏極電流范圍：7.3A至20A 》脈沖漏極電流范圍：24A至66A 》漏源電壓：650V 》瞬態(tài)漏源電壓：750V 》柵源電壓范圍：-10VDC 至+6VDC 》瞬態(tài)柵源電壓：8.5V 》+25℃時(shí)功耗：56W 》柵極輸入電阻：0.86Ω(典型值) 》輸入電容：200pF(典型值) 》輸出電容：50pF(典型值) 》輸出電荷：44nC 》總柵極電荷：5.2nC(典型值) 》典型接通延遲時(shí)間：5.9ns 》典型上升時(shí)間：6.9ns 》典型關(guān)閉延遲時(shí)間：8.0ns 》典型下降時(shí)間：8.7ns 》GNP1150TCA-Z 》DFN8080AK封裝樣式 》連續(xù)漏極電流范圍：5A至11A 》脈沖漏極電流范圍：17A至35A 》漏源電壓：650V 》瞬態(tài)漏源電壓：750V 》柵源電壓范圍：-10VDC 至+6VDC 》瞬態(tài)柵源電壓：8.5V 》+25℃時(shí)功耗：62.5W 》柵極輸入電阻：2.6Ω(典型值) 》輸入電容：112pF(典型值) 》輸出電容：19pF(典型值) 》輸出電荷：18.5nC 》典型總柵極電荷：2.7nC 》典型接通延遲時(shí)間：4.7ns 》典型上升時(shí)間：5.3ns 》典型關(guān)閉延遲時(shí)間：6.2ns 》典型下降時(shí)間：8.3ns 文章來源：http://www.ameya360.com/hangye/109156.html，如有侵權(quán)請聯(lián)系刪除！ |
