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明佳達(dá)，星際金華 供求 雙通道智能高壓側(cè)開關(guān)TPS2H160BQPWPRQ1/MK24FN1M0VDC12微控制器/XC7A15T-2CPG236I 現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列 40V 160mΩ TPS2H160BQPWPRQ1 TPS2H160-Q1 雙通道智能高壓側(cè)開關(guān) 產(chǎn)品描述 TPS2H160BQPWPRQ1 是一款全保護(hù)雙通道智能高壓側(cè)開關(guān)，集成了 160mΩ NMOS 功率 FET。 TPS2H160BQPWPRQ1 的全面診斷和高精度電流檢測(cè)功能可實(shí)現(xiàn)對(duì)負(fù)載的智能控制。 TPS2H160BQPWPRQ1 通過限制浪涌電流或過載電流，外部可調(diào)限流裝置提高了整個(gè)系統(tǒng)的可靠性。 功能特點(diǎn) 雙通道 160 mΩ 智能高壓側(cè)開關(guān)，具有完整的診斷功能 版本 A：開漏狀態(tài)輸出 版本 B：電流檢測(cè)模擬輸出 寬工作電壓 3.4 至 40 V 超低待機(jī)電流，< 500 nA 高精度電流檢測(cè)：在 >25-mA 負(fù)載下 - ±17 帶外部電阻器的可調(diào)電流限制：在 >500-mA 負(fù)載下為 ±15 器件溫度等級(jí) 1：-40°C 至 125°C 環(huán)境工作溫度范圍 應(yīng)用 雙通道 LED 驅(qū)動(dòng)器、燈泡驅(qū)動(dòng)器 用于子模塊的雙通道高壓側(cè)開關(guān) 雙通道高壓側(cè)繼電器、電磁線圈驅(qū)動(dòng)器 MK24FN1M0VDC12 120MHz 微控制器 IC 產(chǎn)品描述 MK24FN1M0VDC12 針對(duì)要求低功耗、USB 連接和高達(dá) 256 KB 嵌入式 SRAM 的成本敏感型應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。MK24FN1M0VDC12 與 Kinetis 系列共享全面的功能和可擴(kuò)展性。 MK24FN1M0VDC12 運(yùn)行功耗低至 250 μA/MHz。靜態(tài)功耗低至 5.8 μA（全狀態(tài)保持和 5 μs 喚醒）。最低靜態(tài)模式功耗低至 339 nA。 MK24FN1M0VDC12 USB LS/FS OTG 2.0 具有嵌入式 3.3 V、120 mA LDO Vreg，支持 USB 器件無晶體工作。 特性 高達(dá) 120 MHz 的 ARM® Cortex®-M4 內(nèi)核，帶 DSP 指令和浮點(diǎn)運(yùn)算單元 高達(dá) 1 MB 的程序閃存和 256 KB 的 RAM FlexBus 外部總線接口 多種低功耗模式、低漏電喚醒單元 具有多主保護(hù)功能的內(nèi)存保護(hù)單元 16 通道 DMA 控制器 外部看門狗監(jiān)控器和軟件看門狗 安全性和完整性模塊 硬件 CRC 模塊 硬件隨機(jī)數(shù)生成器 硬件加密支持 DES、3DES、AES、MD5、SHA-1 和 SHA-256 算法 每個(gè)芯片 128 位唯一標(biāo)識(shí) (ID) 號(hào) 1300LAB XC7A15T-2CPG236I 現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列 XC7A15 FPGA IC CSBGA238 產(chǎn)品描述 XC7A15T-2CPG236I 基于真正的 6 輸入查找表 (LUT) 技術(shù)的先進(jìn)高性能 FPGA 邏輯，可配置為分布式存儲(chǔ)器。 XC7A15T-2CPG236I 是 36 Kb 雙端口塊 RAM，內(nèi)置用于片上數(shù)據(jù)緩沖的 FIFO 邏輯。 XC7A15T-2CPG236I 采用高性能 SelectIO™ 技術(shù)，支持高達(dá) 1,866 Mb/s 的 DDR3 接口。 XC7A15T-2CPG236I 高速串行連接，內(nèi)置千兆位收發(fā)器，速率從 600 Mb/s 到最高 6.6 Gb/s 再到 28.05 Gb/s，提供特殊的低功耗模式，針對(duì)芯片到芯片接口進(jìn)行了優(yōu)化。 功能特點(diǎn) 功能強(qiáng)大的時(shí)鐘管理芯片（CMT），結(jié)合了鎖相環(huán)（PLL）和混合模式時(shí)鐘管理器（MMCM）模塊，可實(shí)現(xiàn)高精度和低抖動(dòng)。 利用 MicroBlaze™ 處理器快速部署嵌入式處理。 PCI Express® (PCIe) 集成塊，適用于高達(dá) x8 Gen3 端點(diǎn)和根端口設(shè)計(jì)。 采用 28 納米、HKMG、HPL 工藝、1.0V 內(nèi)核電壓工藝技術(shù)和 0.9V 內(nèi)核電壓選項(xiàng)，可實(shí)現(xiàn)高性能和低功耗。 用戶可配置的模擬接口 (XADC)，集成了雙通道 12 位 1MSPS 模數(shù)轉(zhuǎn)換器和片上熱傳感器和電源傳感器。 數(shù)字信號(hào)處理器片，配備 25 x 18 乘法器、48 位累加器和用于高性能濾波的預(yù)梯形圖，包括優(yōu)化的對(duì)稱系數(shù)濾波。 |
