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DWC3模塊特點 1. 采用真空回流焊工藝，AlSiC底板+低熱值AlN絕緣陶瓷，最高工作結溫175℃； 2. 第三代模塊寄生電感低于10nH，比現有模塊小50%以上，降低開關損耗； 3. 適用高溫、高頻應用，超低損耗； 4. 集成NTC溫度傳感器，易于系統集成。 
DWC3碳化硅模塊ASC300N-ASC400N-ASC600N-ASC700N電壓1200V和1700V風冷液冷散熱.zip
(6.52 MB)
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| 電控上用很好 |
| DWC3模塊 電機控制的最好搭檔 |
| 碳化硅MOS管650V-1200V-1700V-3300V-6500V。 - 電子工程網 http://www.qingdxww.cn/thread-821142-1-1.html |
碳化硅MOS驅動設計及特點(SiC MOSFET) -知乎https://zhuanlan.zhihu.com/p/657391957  |
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Eways-SiC 發表于 2025-3-11 11:21:22 碳化硅MOS驅動設計及特點(SiC MOSFET) -知乎https://zhuanlan.zhihu.com/p/657391957 |
