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碳化硅MOS耐壓650V-3300V和SiC模塊產品簡介https://pan.baidu.com/s/1EYxb29Lv-hLx9gt2K3Wuiw 提取碼x913

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1700v 3300v SICMOS

實現更高的功率密度，可靠性和效率。

碳化硅MOS（SiC MOSFET）特性 電子工程網  http://www.qingdxww.cn/thread-841262-1-1.html

寬帶隙、高臨界擊穿電場、高熱導率 頂！

碳化硅MOS晶圓

碳化硅SiC MOSFETs功率管柵極驅動基礎知識 - 電子工程網  http://www.qingdxww.cn/thread-825360-1-1.html

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國產碳化硅MOS

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3300V碳化硅MOS業界領先的國產（SiC）功率器件 - 無源器件/分立半導體 - 電子工程網  http://www.qingdxww.cn/thread-857169-1-1.html

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碳化硅MOS驅動設計及SiC柵極驅動器示例 - 模擬電子技術 - 電子工程網  http://www.qingdxww.cn/thread-838162-1-1.html

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