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中移動急推LTE終端專家稱違背科技規(guī)律

發(fā)布時間:2011-12-7 14:34    發(fā)布者:nansaudi
關(guān)鍵詞: 3G , TD-LTE
4G時代的到來取決于整個產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)欠癯墒斓米阋灾纹浒l(fā)展。手機(jī)的基礎(chǔ)是芯片,芯片遵循摩爾定律,以現(xiàn)階段65-45納米水平的芯片只能作出4G數(shù)據(jù)卡,要想用于4G手機(jī),為滿足性能和功耗的指標(biāo),可能要等2013-2014年達(dá)到32-28納米商用芯片時才有可能。違背科技規(guī)律的做法只會帶來拔苗助長的嚴(yán)重后果。


  【IT商業(yè)新聞網(wǎng)訊】


  (記者 靳遠(yuǎn))中國移動TD-LTE的發(fā)展一直呈加速狀態(tài)。


  繼中移動完成上海、廣州等六城市的TD-LTE測試后,從今年十月起,中移動第二期TD-LTE規(guī)模試驗(yàn)也已開展,范圍得到擴(kuò)大,到明年6月時,可正式投入商用。除此之外,IT商業(yè)新聞網(wǎng)記者得知,中移動將在今年年底推出TD-LTE多模數(shù)據(jù)卡或雙待手機(jī)。


  中移動董事長王建宙此前曾多次在公開場合說過“TD-LTE網(wǎng)絡(luò)發(fā)展已經(jīng)成熟”的話。但由于受芯片因素影響,TD-LTE終端的發(fā)展卻始終緩慢,成為了這個準(zhǔn)4G制式發(fā)展的掣肘。而終端的芯片問題就是其中的一個重要挑戰(zhàn)。大唐電信(600198,股吧)副總裁陳山枝就認(rèn)為:“從TD-SCDMA產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗(yàn)來看,目前我國TD-LTE多模多終端芯片仍處于前期開發(fā)階段。”





  從此前3G競爭的趨勢可感覺到,在LTE時代,電信運(yùn)營商若想占得先機(jī),終端仍然是在競爭中取勝的關(guān)鍵。


  中移動副總裁李正茂對此表示,終端是產(chǎn)業(yè)成熟的標(biāo)志,特別是智能手機(jī)才能讓使用量真正上去,而智能手機(jī)如果要有很大的規(guī)模使用量,一定要有很好的芯片,把現(xiàn)在的3G和2G制式都囊括進(jìn)來。這存在著很大的難度。


  確實(shí),國內(nèi)TD-LTE終端芯片還遠(yuǎn)未達(dá)到成熟階段。目前雖然有十多家芯片廠商投身TD-LTE產(chǎn)業(yè),但僅有海思、創(chuàng)毅視訊和 Altair三家通過測試。


  易觀商業(yè)解決方案公司IT業(yè)務(wù)中心咨詢總監(jiān)呂永昌表示,雖然TD-LTE獲得了不少企業(yè)的積極介入,但其整體水平依然不夠理想。頻譜過于分散意味著用戶要實(shí)現(xiàn)較好的漫游服務(wù),就要求芯片和終端必須能夠支持多個頻段。而多頻段會帶來產(chǎn)品耗電量提升,芯片尺寸過大、成本過高等問題,且目前可選的LTE智能手機(jī)范圍很少。


  這些觀點(diǎn)頗具代表性。終端與用戶有著密切的聯(lián)系,待芯片等難題解決后,用戶規(guī)模就會快速增長。

  4G時代的到來取決于整個產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)欠癯墒斓米阋灾纹浒l(fā)展。手機(jī)的基礎(chǔ)是芯片,芯片遵循摩爾定律,以現(xiàn)階段65-45納米水平的芯片只能作出4G數(shù)據(jù)卡,要想用于4G手機(jī),為滿足性能和功耗的指標(biāo),可能要等2013-2014年達(dá)到32-28納米商用芯片時才有可能。違背科技規(guī)律的做法只會帶來拔苗助長的嚴(yán)重后果。


  但如何解決卻有著不一樣的說法。四川通信設(shè)計院副總工程師程德杰博士就表示,TD-LTE終端芯片的性能并未獲得充分檢驗(yàn),潛在的問題尚未被發(fā)現(xiàn)。在沒有形成規(guī)模的情況下,芯片的制造成本無法得到降低,這也會讓終端的價格居高不下,從而影響TD-LTE的推廣。



  按照中移動的規(guī)劃,除年底前推出多模數(shù)據(jù)卡和雙待手機(jī)外,明年下半年將陸續(xù)推出多款多模多待手機(jī)終端。李正茂曾表示,“最晚到明年三季度(TD-LTE)就可商用”。


  知名TD專家李進(jìn)良教授告訴IT商業(yè)新聞網(wǎng),TD-LTE從系統(tǒng)理論可行到商用可行,從終端芯片成熟到智能手機(jī)商用,仍需至少三年左右的時間才有望大規(guī)模商用。


  “4G什么時候到來?這取決于整個產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)欠癯墒斓米阋灾纹浒l(fā)展。手機(jī)的基礎(chǔ)是芯片,芯片遵循摩爾定律,以現(xiàn)階段65-45納米水平的芯片只能作出4G數(shù)據(jù)卡,要想用于4G手機(jī),為滿足性能和功耗的指標(biāo),可能要等2013-2014年達(dá)到32-28納米商用芯片時才有可能。違背科技規(guī)律的做法只會帶來拔苗助長的嚴(yán)重后果”,李進(jìn)良教授指出。



  程德杰博士認(rèn)為,TD-LTE終端發(fā)展,應(yīng)以符合市場需求為基本途徑,做到循序漸進(jìn),初期應(yīng)用,仍應(yīng)以數(shù)據(jù)卡應(yīng)用為主,以驗(yàn)證技術(shù),保證高端用戶的數(shù)據(jù)應(yīng)用感知,解決目前3G應(yīng)用熱點(diǎn)地區(qū),移動數(shù)據(jù)帶寬枯竭的問題;應(yīng)始終堅持走多模路線,以保證用戶終端在多個制式的網(wǎng)絡(luò)內(nèi)都能夠使用和漫游,這樣可以借鑒FDD-LTE技術(shù)的發(fā)展成果,有效降低成本,保護(hù)運(yùn)營商在3G時代的投資。
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