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來(lái)源：富昌電子 作者：Riccardo Collura 開(kāi)發(fā)中的電動(dòng)汽車(chē) (EV) 直流快速充電器現(xiàn)在必須滿足比已安裝的充電器更嚴(yán)格的規(guī)格。這一高要求源于兩個(gè)市場(chǎng)壓力：首先，為最新電動(dòng)汽車(chē)中嵌入的更高容量電池提供更快的充電速度。其次，需要實(shí)現(xiàn)雙向功率流，以支持新的車(chē)輛到電網(wǎng)（V2G）和車(chē)輛到建筑物（V2B）應(yīng)用，隨著更多能源由風(fēng)能和太陽(yáng)能等波動(dòng)能源產(chǎn)生，該技術(shù)將有助于平衡電網(wǎng)。 充電器制造商可以通過(guò)將直流快速充電器作為模塊化構(gòu)建塊來(lái)實(shí)現(xiàn)其設(shè)計(jì)的靈活性：多個(gè)模塊可以并聯(lián)連接，將功率輸出擴(kuò)大到高達(dá) 300 kW。這意味著當(dāng)多個(gè)模塊堆疊在充電器外殼中時(shí)，模塊的功率密度成為關(guān)鍵問(wèn)題，熱管理也是如此。 為了應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)，電動(dòng)汽車(chē)充電器制造商已轉(zhuǎn)向碳化硅 (SiC) 功率開(kāi)關(guān)，它的開(kāi)關(guān)速度比同等硅 MOSFET 或 IGBT 更快，且開(kāi)關(guān)損耗低得多：因此可以使用更小的磁性元件，從而提高系統(tǒng)功率密度。SiC 技術(shù)還為高密度電源設(shè)計(jì)的熱問(wèn)題提供了解決方案，因?yàn)樗裙杵骷哂懈叩男剩艹惺芨叩墓ぷ鳒囟龋瑥亩梢允褂酶〉纳崞鳎⒔档拖到y(tǒng)組件的熱應(yīng)力。 目前，具備向充電器制造商批量供應(yīng) SiC 器件的技術(shù)能力和制造能力的半導(dǎo)體制造商寥寥無(wú)幾：領(lǐng)先者包括英飛凌、安森美和意法半導(dǎo)體。 因此，許多電動(dòng)汽車(chē)充電器設(shè)計(jì)人員可尋求這些公司的參考設(shè)計(jì)板，以評(píng)估各種 SiC 電源開(kāi)關(guān)的性能，并評(píng)估它們對(duì)其應(yīng)用的適用性。 這些參考設(shè)計(jì)在 PFC 級(jí)和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器級(jí)提供了一些最適合雙向直流快速充電器拓?fù)涞姆桨浮Ａ私膺@些拓?fù)浼捌鋬?yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)將有助于設(shè)計(jì)人員找出最適合其應(yīng)用要求的拓?fù)洹Ｗ屛覀兿瓤纯措妱?dòng)汽車(chē)充電器的有源前端 PFC 級(jí)的拓?fù)溥x擇。 直流充電器模塊的有源前端 PFC 級(jí) AC-DC級(jí)將 380 V 至 415 V AC范圍內(nèi)的正常三相輸入轉(zhuǎn)換成約 800 V 的穩(wěn)定直流母線電壓。本文中討論的所有拓?fù)渚m用于雙向系統(tǒng)，因此轉(zhuǎn)換也會(huì)以相反的方式進(jìn)行，即從DC到AC。 SiC 器件特別適合基于半橋配置的雙向轉(zhuǎn)換器。通常雙向系統(tǒng)會(huì)執(zhí)行重復(fù)的硬換向：在這種情況下，硅功率開(kāi)關(guān)在器件體二極管處的反向恢復(fù)時(shí)間較長(zhǎng)，將導(dǎo)致高功耗和低效率，以及更高的熱應(yīng)力和更低的系統(tǒng)可靠性。因此，雙向轉(zhuǎn)換器需要較短甚至為零的反向恢復(fù)時(shí)間，這是 SiC MOSFET 的一個(gè)特性，如圖 1 所示。 
圖 1：低體二極管反向恢復(fù)時(shí)間對(duì)于具有半橋配置并面臨重復(fù)硬換向的雙向轉(zhuǎn)換器至關(guān)重要 三相雙向直流充電器的有源前端 PFC 級(jí)有以下三種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)值得考慮： · 兩級(jí)PFC · 三級(jí)中性點(diǎn)鉗位（NPC）/有源NPC（ANPC） · 三級(jí)T型NPC 兩級(jí) PFC 拓?fù)?/strong> 兩級(jí)PFC拓?fù)涞牧_(kāi)關(guān)升壓型整流器是一個(gè)非常簡(jiǎn)單、易于控制的電路，如圖2所示。它利用雙向功率流，以合理的效率實(shí)現(xiàn)高功率因數(shù)。與三級(jí)拓?fù)湎啾龋哂懈俚脑䲠?shù)量和更簡(jiǎn)單的 PCB 布局。
圖 2：兩級(jí) PFC 拓?fù)? 另一方面，它需要具有高額定電壓的開(kāi)關(guān)來(lái)阻斷整個(gè)直流母線電壓。例如，在 800 V 直流應(yīng)用中，需要具有 1,200 V 阻斷能力的 SiC MOSFET。 這種拓?fù)涞牧硪粋�(gè)缺點(diǎn)是濾波電感器體積龐大，需要它來(lái)最大限度地減少輸入電流的總諧波失真 (THD)。三級(jí)拓?fù)洳恍枰蟮碾姼校梢越档凸β拭芏取Ａ硪粋�(gè)需要考慮的因素是高峰值電壓應(yīng)力，它會(huì)影響半導(dǎo)體和其他無(wú)源器件的使用壽命。 最后，該轉(zhuǎn)換器的 EMI 性能遠(yuǎn)低于下文所述的多級(jí) PFC 拓?fù)洹? 三級(jí) NPC/ANPC PFC 拓?fù)?/strong> 在三級(jí)NPC/ANPC拓?fù)渲校總�(gè)開(kāi)關(guān)只需能夠阻斷一半的總線電壓，因此可以使用額定電壓較低的MOSFET，器件上的電壓應(yīng)力要低得多，如圖3所示。這意味著該拓?fù)淇梢暂p松跨多個(gè)平臺(tái)進(jìn)行擴(kuò)展，與SiC、GaN和硅功率開(kāi)關(guān)一起使用，以滿足具有不同功率、成本和效率要求的應(yīng)用的需求。
圖 3：三級(jí) NPC PFC 拓?fù)? 在 800 V 應(yīng)用中，可以使用額定值 600 V 的 MOSFET。600 V MOSFET 不僅提供比 1,200 V MOSFET 更低的開(kāi)關(guān)損耗，還可以支持更快的開(kāi)關(guān)頻率。 在 NPC 拓?fù)渲校敵鲭娏鞯募y波較低，輸出電壓瞬態(tài)降低 50%。這降低了對(duì)濾波和隔離的要求，并可以使用更小的濾波電感器。由于調(diào)節(jié)電流波形中的 THD 所需的電感較少，因此該設(shè)計(jì)可以實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。這種多級(jí)轉(zhuǎn)換器拓?fù)涞妮敵鲭妷阂彩艿椒浅５偷母蓴_，從而最大限度地減少了器件上的 dv/dt 應(yīng)力，并提高了 EMI 性能。 雖然 NPC 拓?fù)湓陂_(kāi)關(guān)頻率高于 50 kHz 時(shí)比兩級(jí) PFC 提供更低的開(kāi)關(guān)損耗和更高的效率，但它確實(shí)需要更多的開(kāi)關(guān)，并且每個(gè)開(kāi)關(guān)都需要自己的柵極驅(qū)動(dòng)電路。這意味著控制更加復(fù)雜，BoM 成本更高。 此外，這種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)同時(shí)使用有源半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)和二極管，導(dǎo)致整個(gè)功率級(jí)損耗的不對(duì)稱分布，可能使熱管理變得困難。一些設(shè)計(jì)人員更喜歡更對(duì)稱的損耗分布，因此將 NPC 拓?fù)渲械亩䴓O管替換為 ANPC 轉(zhuǎn)換器中的有源開(kāi)關(guān)，如圖 4 所示。
圖 4：三級(jí) ANPC PFC 拓?fù)? 在 NPC 和 ANPC 拓?fù)渲校虚_(kāi)關(guān)的阻斷電壓降低意味著可以使用高效氮化鎵 (GaN) 開(kāi)關(guān)來(lái)提高效率和功率密度，這一點(diǎn)非常有用。 三級(jí)T型NPC PFC拓?fù)?/strong> 在三級(jí) T 型 NPC PFC 轉(zhuǎn)換器中，傳統(tǒng)的兩級(jí)電壓源轉(zhuǎn)換器拓?fù)渫ㄟ^(guò)有源雙向開(kāi)關(guān)擴(kuò)展到直流母線中點(diǎn)，如圖 5 所示。對(duì)于 800 V 直流母線電壓，1,200 V IGBT/二極管通常在每相的高邊和低邊工作，因?yàn)楸仨氉钄嗳妷骸５赥型配置中，到直流母線中點(diǎn)的雙向開(kāi)關(guān)僅需要阻斷一半電壓。這意味著可以使用較低電壓的器件來(lái)實(shí)現(xiàn)，例如兩個(gè)包含反并聯(lián)二極管的 600 V IGBT。
圖5：三級(jí)T型NPC PFC拓?fù)? 由于阻斷電壓降低，中間開(kāi)關(guān)產(chǎn)生非常低的開(kāi)關(guān)損耗和可接受的傳導(dǎo)損耗。與三級(jí) NPC 拓?fù)洳煌琓 型 NPC 拓?fù)洳淮?lián)必須阻斷整個(gè)直流母線電壓的器件。 在 NPC 拓?fù)渲校ǔ?huì)避免直接從正直流母線電壓到負(fù)直流母線電壓的開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換，反之亦然，因?yàn)楫?dāng)兩個(gè)串聯(lián)的 FET 同時(shí)關(guān)斷時(shí)，它們可能會(huì)導(dǎo)致電壓分配不均勻而暫時(shí)被阻斷。這種不良影響不會(huì)發(fā)生在 T 型拓?fù)渲小Ｒ虼耍瑳](méi)有必要實(shí)施阻止此類轉(zhuǎn)換的低級(jí)路徑，或者提供串聯(lián) IGBT 上的瞬態(tài)電壓平衡。 使用單個(gè) 1,200 V 器件來(lái)阻斷全部直流母線電壓的另一個(gè)好處是減少傳導(dǎo)損耗。每當(dāng)輸出連接到正極或負(fù)極時(shí)，電路僅承受一個(gè)器件的正向壓降；在NPC拓?fù)渲校瑑蓚�(gè)器件總是串聯(lián)的。這大大降低了傳導(dǎo)損耗，使得 T 型拓?fù)湓诘皖l開(kāi)關(guān)應(yīng)用中很有價(jià)值。 總體而言，傳導(dǎo)損耗明顯低于 NPC 拓?fù)洌捎谄骷䲡?huì)阻斷全部直流母線電壓，因此開(kāi)關(guān)損耗較高。因此，T 型整流器最適合開(kāi)關(guān)頻率最高 50 kHz 的應(yīng)用，而 NPC 拓?fù)湓诟哂?50 kHz 的頻率下表現(xiàn)更好。 表 1 顯示了上述三種 PFC 級(jí)拓?fù)涞膬?yōu)缺點(diǎn)的比較。
表 1：PFC 拓?fù)涮匦钥偨Y(jié) 直流充電器模塊的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器級(jí) DC-DC級(jí)是電流隔離轉(zhuǎn)換器，它將輸入的 800 V 直流母線電壓轉(zhuǎn)換為穩(wěn)壓直流輸出電壓，用于為電動(dòng)汽車(chē)電池充電，繞過(guò)車(chē)輛的車(chē)載充電器，該充電器僅在連接到交流充電器時(shí)使用 。 雙向 DC-DC 級(jí)的拓?fù)淇梢酝ㄟ^(guò)以下兩種方式之一實(shí)現(xiàn)： · 雙有源橋 · CLLC 模式的雙有源橋 雙有源橋拓?fù)?/strong> 雙有源橋 (DAB) 轉(zhuǎn)換器由一個(gè)在初級(jí)側(cè)和次級(jí)側(cè)均帶有源開(kāi)關(guān)的全橋組成，通過(guò)高頻變壓器連接，如圖 6 所示。由于其中一個(gè)橋固有的滯后電流，電流一次對(duì)一個(gè)橋的開(kāi)關(guān)的輸出電容進(jìn)行放電。當(dāng)次級(jí)側(cè)開(kāi)關(guān)放電時(shí)，初級(jí)側(cè)的一些開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)零電壓開(kāi)關(guān)導(dǎo)通。還可以在開(kāi)關(guān)之間使用無(wú)損電容緩沖器，以減少關(guān)斷損耗。
圖 6：雙有源橋 DC-DC 轉(zhuǎn)換器拓?fù)? 這種轉(zhuǎn)換器拓?fù)涞闹饕獌?yōu)點(diǎn)是： · 雙向能力，通過(guò)控制兩個(gè)橋之間的相位角來(lái)實(shí)現(xiàn) · 模塊化，使其能夠擴(kuò)展到更高的功率級(jí)別 在單相移調(diào)制中，DAB 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)易于控制。 然而，對(duì)于擴(kuò)展的雙相移或三相移調(diào)制，控制方案變得復(fù)雜。這種拓?fù)淇捎糜谕ㄟ^(guò)單相移調(diào)制來(lái)覆蓋較寬的電池電壓范圍，但變壓器中的循環(huán)電流會(huì)上升到較高水平，從而大大降低效率。 然而，利用三相移調(diào)制等先進(jìn)調(diào)制方案，轉(zhuǎn)換器理論上可以在整個(gè)工作范圍內(nèi)執(zhí)行零電壓開(kāi)關(guān)。在此拓?fù)渲校敵龉β逝c變壓器 KVA 額定值的比率較高。處理紋波電流所需的輸出電容也很低。 總體而言，該轉(zhuǎn)換器非常適合功率密度、成本、重量、隔離和可靠性為關(guān)鍵因素的應(yīng)用，因?yàn)樗哂幸幌盗杏形Φ奶匦裕?br /> · 元件數(shù)量相對(duì)較少 · 軟開(kāi)關(guān)換相 · 低成本 · 高效率 但值得注意的是，DAB 轉(zhuǎn)換器通常需要額外的勻場(chǎng)電感器來(lái)支持零電壓開(kāi)關(guān)：這會(huì)增加電路尺寸并降低功率密度。 CLLC 模式的 DAB 拓?fù)?/strong> CLLC 電路配置可執(zhí)行經(jīng)典 LLC 的所有功能，但具有額外的優(yōu)勢(shì)，即在次級(jí)側(cè)使用有源開(kāi)關(guān)可實(shí)現(xiàn)雙向功率傳輸，如圖 7 所示。
圖 7：CLLC 模式的 DAB 拓?fù)? 該轉(zhuǎn)換器以零電壓/零電流開(kāi)關(guān)模式運(yùn)行，從而實(shí)現(xiàn)高效率。當(dāng)總線電壓有 10% 的變化空間時(shí)，該轉(zhuǎn)換器可以適應(yīng)廣泛變化的電池電壓，同時(shí)保持良好的效率。然而，在總線電壓固定的情況下，該拓?fù)涞墓ぷ鞣秶浅Ｓ邢蕖?br /> 初級(jí)側(cè)和次級(jí)側(cè)的電容器消除了變壓器鐵芯飽和的風(fēng)險(xiǎn)。 CLLC 模式下的 DAB 轉(zhuǎn)換器實(shí)際上最適合AC-DC車(chē)載充電器。不過(guò)，它的使用功率水平高于車(chē)載充電器的功率水平，最高可達(dá) 15 kW。但擴(kuò)展到更高功率水平和并聯(lián)可能很困難，因?yàn)樗枰叨葘?duì)稱的結(jié)構(gòu)和多個(gè)模塊的同步，這是一項(xiàng)艱巨的任務(wù)。 DAB 拓?fù)浜?CLLC 模式的 DAB 拓?fù)渚Ｓ糜?800 V 隔離式 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。電壓轉(zhuǎn)換比控制轉(zhuǎn)換器端子的連接，這會(huì)影響開(kāi)關(guān)所需的擊穿電壓額定值：高壓轉(zhuǎn)換器可以串聯(lián)，或在一個(gè)端子上串聯(lián)，而另一個(gè)端子保持并聯(lián)。這意味著拓?fù)溥B接有四種可能的配置。 CLLC 模式的 DAB 拓?fù)涞膬蓚�(gè)示例如下：圖 8 顯示了串聯(lián)輸入配置，圖 9 顯示了 800 V 總線電壓的并聯(lián)輸入配置，輸出電壓范圍為 200 V 至 1 kV。
圖 8：具有串聯(lián)輸入的 CLLC 模式的 DAB 轉(zhuǎn)換器
圖 9：具有并聯(lián)輸入的 CLLC 模式的 DAB 轉(zhuǎn)換器 串聯(lián)輸入全橋 CLLC 的優(yōu)點(diǎn)是在較寬的輸出電壓范圍內(nèi)具有較窄的諧振頻率范圍，從而降低了開(kāi)關(guān)損耗；這里可以使用 650 V 器件。但這需要對(duì)直流總線側(cè)串聯(lián)的直流總線電容器電壓進(jìn)行更復(fù)雜的控制。此外，為了實(shí)現(xiàn)給定的效率，需要比使用 1,200 V 器件的單個(gè)全橋具有更低導(dǎo)通電阻的器件。 CLLC模式的并行輸入全橋DAB轉(zhuǎn)換器的優(yōu)點(diǎn)是，對(duì)于給定的效率，電路可以使用具有更高導(dǎo)通電阻的器件，同時(shí)控制方案更容易。需要寬諧振頻率范圍來(lái)支持寬輸出電壓范圍。 兩種 DC-DC 級(jí)拓?fù)涞膬?yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)如表 2 所示。
表 2：兩種 DC-DC 級(jí)拓?fù)涞奶匦钥偨Y(jié) 參考設(shè)計(jì)加速新型直流充電器電路的實(shí)施 領(lǐng)先的 SiC MOSFET 制造商提供的參考設(shè)計(jì)為新型高功率直流充電器設(shè)計(jì)提供了部分或全部藍(lán)圖。 意法半導(dǎo)體的STDES-PFCBIDIR 15 kW 雙向 PFC 級(jí)轉(zhuǎn)換器采用 T 型 NPC 拓?fù)洌鐖D 10 所示。它采用數(shù)字控制，在 400 V 交流電壓和 800 V 直流電壓之間進(jìn)行轉(zhuǎn)換。效率幾乎達(dá)到99%。意法半導(dǎo)體優(yōu)化了無(wú)源元件的尺寸和成本，并且該轉(zhuǎn)換器提供高功率密度。
圖 10：意法半導(dǎo)體的 STDES-PFCBIDIR PFC 參考設(shè)計(jì)以其高效率和功率密度而著稱 STDES-PFCBIDIR 與意法半導(dǎo)體的 25 kW STDES-DABBIDIR 相結(jié)合，為雙向電動(dòng)汽車(chē)充電器提供了完整的解決方案。STDES-DABBIDIR 使用 ACEPACK 2 封裝的 SiC MOSFET 功率模塊以 100 kHz 實(shí)現(xiàn) DAB 拓?fù)溟_(kāi)關(guān)，如圖 11 所示。數(shù)字控制由 STM32G474RE MCU 執(zhí)行。軟開(kāi)關(guān)操作由自適應(yīng)調(diào)制技術(shù)管理，該技術(shù)響應(yīng)負(fù)載和電壓的變化
圖 11：STDES-DABBIDIR DC-DC 轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)板的額定功率為 25 kW 英飛凌 REF-DAB11KIZSICSYS 是一款雙向 DC-DC 轉(zhuǎn)換器級(jí)，采用 CLLC 模式的 DAB 拓?fù)洌鐖D 12 所示。它在 800 V 電壓下提供高達(dá) 11 kW 的輸出，效率高于 97%。
圖 12：英飛凌 REF-DAB11KIZSICSYS 參考設(shè)計(jì)板的額定輸出功率為 11 kW 該板基于由英飛凌 1EDC20I12AH 柵極驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)的 IMZ120R030M1H CoolSiC™ MOSFET，以低成本結(jié)合了高功率密度和可靠性 英飛凌還開(kāi)發(fā)了完整的DC-DC充電器參考設(shè)計(jì) REF-EV50KW2SICKIT，將于 2023 年發(fā)布。這款 50 kW 直流充電器子單元旨在用作堆疊式高功率充電系統(tǒng)中的模塊，如圖 13所示。
圖 13a、13b：英飛凌的 REF-EV50KW2SICKIT 實(shí)現(xiàn)了完整的 DC-DC 快速充電器 發(fā)布后，英飛凌將提供可裝入 19 英寸 4U 機(jī)箱的完全組裝板。還將提供電源控制卡以及帶有 GUI 的軟件。 另一種完整的 DC-DC 充電器設(shè)計(jì)由安森美提供。SEC-25KW-SIC-PIM-GEVK 是一款 25 kW 充電器，它實(shí)現(xiàn)了兩級(jí) PFC 和 DAB 拓?fù)洌鐖D 14 所示。
圖 14：安森美的 SEC-25KW-SIC-PIM-GEVK 參考設(shè)計(jì)是一款 25 kW DC-DC 充電器 SEC-25KW-SIC-PIM-GEVK 采用多個(gè) NXH010P120MNF1 半橋 SiC 模塊，其擊穿電壓額定值為 1,200 V。這些 SiC 模塊以其 10 mΩ 的極低導(dǎo)通電阻和低寄生電感而著稱，可大幅降低傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗。轉(zhuǎn)換操作由基于 Zynq®-7000 SoC FPGA 的強(qiáng)大通用控制器板控制。輸出電壓范圍為 200 V 至 1,000 V，效率高達(dá) 96%。 多個(gè) SEC-25KW-SIC-PIM-GEVK 板可以堆疊在一個(gè)機(jī)柜中，以提供應(yīng)用所需的輸出功率。 小結(jié) 雙向電動(dòng)汽車(chē)快速充電器的 PFC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器級(jí)拓?fù)涞倪x擇使設(shè)計(jì)人員可以優(yōu)化尺寸、成本、效率、輸出功率、元件數(shù)量，且易于控制。 領(lǐng)先 SiC 器件制造商提供的高性能參考設(shè)計(jì)可幫助設(shè)計(jì)人員開(kāi)始應(yīng)用其中一些拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。 |
| SiC MOSFET(碳化硅MOS)柵極驅(qū)動(dòng)以及柵極驅(qū)動(dòng)器示例https://pan.baidu.com/s/1Q2xAZ-VtV8TqV9prNflA9g提取碼bbbc |
