低導電損耗、高穩定的100V溝槽型低正向壓降肖特基整流器（安森美）

發布時間：2011-12-15 12:11 發布者：eechina

關鍵詞：肖特基 , 整流

安森美半導體(ON Semiconductor)推出新系列的100伏(V)溝槽型低正向壓降肖特基整流器(LVFR)，用于筆記本適配器或平板顯示器的開關電源、反向電池保護電路及高頻直流-直流(DC-DC)轉換器等應用。

新的NTST30100CTG、NTST20100CTG及NTSB20U100CTG系列器件采用溝槽拓撲結構，提供優異的低正向壓降及更低漏電流，因而導電損耗低及大幅提升的電路能效，幫助設計工程師符合高能效標準規范要求，不會增加復雜度，例如無須同步整流。

此LVFR系列利用溝槽金屬氧化物半導體(MOS)結構，在正向偏置條件下提供更大的導電區，因而顯著降低正向壓降。在反向偏置條件下，此結構產生“夾斷”(pinch-off)效應，從而降低漏電流。跟平面型肖特基整流器不同，安森美半導體的溝槽型LVFR的開關性能在-40 °C至+150 °C的整個工作結點溫度范圍內都很優異。

為了證明LVFR的優勢，安森美半導體將其30 A、100 V LVFR (NTST30100SG)與標準的30 A、100 V平面型肖特基整流器進行比較。基于65 W電源適配器測試的數據顯示，使用LVFR比使用平面肖特基整流器的能效高1%。如此顯著的能效提升使電源設計人員能夠符合規范要求，同時不增加方案的復雜度及成本，例如無須同步整流。

安森美半導體功率分立分部高級總監兼總經理John Trice說：“我們的客戶力求其產品設計更高能效，面市已久的平面型肖特基整流器根本無法高性價比地提供溝槽型LVFR系列所具的性能及能效。LVFR在擴展溫度范圍內提供優異正向壓降及反向漏電流性能，超出我們客戶提升電源能效的嚴格規格。”

安森美半導體新的LVFR器件及各自典型性能特性如下表所示：

安森美半導體器件型號	簡介	封裝	VF (V) @ IF =5 A及TJ=125°C
安森美半導體器件型號	簡介	封裝	VF (V) @ IF =5 A及TJ=125°C
NTST30100SG NTSB30100S-1G	30 A (30 A X 1)	TO-220 AB I2PAK	0.39
NTST30U100CTG NTSB30U100CT-1G NTST30U100CTH	30 A共陰極(15 A X 2) (H->無鹵素)	TO-220 AB I2PAK TO-220 AB	0.42
NTST30100CTG NTSB30100CT-1G NTST30100CTH	30 A共陰極(15 A X 2) (H->無鹵素)	TO-220 AB I2PAK TO-220 AB	0.45
NTST20100CTG NTSB20100CT-1G	20 A共陰極(10 A X 2)	TO-220 AB I2PAK	0.5
NTST20U100CTG NTSB20U100CT-1G	20 A共陰極(10 A X 2)	TO-220 AB I2PAK	0.5

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