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碳化硅SiC MOSFE Vd‐Id 特性
碳化硅MOS特性及驅動設計2024.pdf
(2.8 MB)
SiC‐MOSFET 與IGBT 不同，不存在開啟電壓，所以從小電流到大電流的寬電流范圍內都能夠實現低導通損耗。 而Si‐MOSFET 在150℃時導通電阻上升為室溫條件下的2 倍以上，與Si‐MOSFET 不同，SiC‐MOSFET的上升率比較低，因此易于熱設計，且高溫下的導通電阻也很低。 
SiC‐MOSFET 的漂移層阻抗比Si‐MOSFET 低，但是另一方面，按照現在的技術水平，SiC‐MOSFET的MOS 溝道部分的遷移率比較低，所以溝道部的阻抗比Si 器件要高。因此，越高的門極電壓，可以得到越低的導通電阻（Vgs=20V 以上則逐漸飽和）。如果使用一般IGBT 和Si‐MOSFET 使用的驅動電壓Vgs=10～15V 的話，不能發揮出SiC 本來的低導通電阻的性能，所以為了得到充分的低導通電阻，推薦使用Vgs=18V 左右進行驅動。Vgs=13V 以下的話，有可能發生熱失控，請注意不要使用。
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| SiC MOSFET柵極驅動器示例 - http://www.qingdxww.cn/thread-838162-1-1.html |
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| 碳化硅MOS管國產從650V-1200V-1700V-3300V，后續推出6500V。 電子工程網 http://www.qingdxww.cn/thread-826808-1-1.html |
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碳化硅MOS管-SiC MODULE產品技術應用簡介https://pan.baidu.com/s/1YVCvtntZntvY2XDpC5uuFw提取碼g4yd 國產碳化硅 |
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