碳化硅MOS（SiC MOSFET）特性

發布時間：2023-9-20 15:41 發布者：Eways-SiC

關鍵詞：碳化硅mos , 碳化硅半導體 , 車載OBC , 逆變器 , 變流器PCS

碳化硅SiC MOSFE Vd‐Id 特性

碳化硅MOS特性及驅動設計2024.pdf (2.8 MB)
SiC‐MOSFET 與IGBT 不同，不存在開啟電壓，所以從小電流到大電流的寬電流范圍內都能夠實現低導通損耗。
而Si‐MOSFET 在150℃時導通電阻上升為室溫條件下的2 倍以上，與Si‐MOSFET 不同，SiC‐MOSFET的上升率比較低，因此易于熱設計，且高溫下的導通電阻也很低。

驅動門極電壓和導通電阻

SiC‐MOSFET 的漂移層阻抗比Si‐MOSFET 低，但是另一方面，按照現在的技術水平，SiC‐MOSFET的MOS 溝道部分的遷移率比較低，所以溝道部的阻抗比Si 器件要高。因此，越高的門極電壓，可以得到越低的導通電阻（Vgs=20V 以上則逐漸飽和）。如果使用一般IGBT 和Si‐MOSFET 使用的驅動電壓Vgs=10～15V 的話，不能發揮出SiC 本來的低導通電阻的性能，所以為了得到充分的低導通電阻，推薦使用Vgs=18V 左右進行驅動。Vgs=13V 以下的話，有可能發生熱失控，請注意不要使用。

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