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碳化硅SiC MOSFE Vd‐Id 特性
碳化硅MOS特性及驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)2024.pdf
(2.8 MB)
SiC‐MOSFET 與IGBT 不同，不存在開(kāi)啟電壓，所以從小電流到大電流的寬電流范圍內(nèi)都能夠?qū)崿F(xiàn)低導(dǎo)通損耗。 而Si‐MOSFET 在150℃時(shí)導(dǎo)通電阻上升為室溫條件下的2 倍以上，與Si‐MOSFET 不同，SiC‐MOSFET的上升率比較低，因此易于熱設(shè)計(jì)，且高溫下的導(dǎo)通電阻也很低。 
SiC‐MOSFET 的漂移層阻抗比Si‐MOSFET 低，但是另一方面，按照現(xiàn)在的技術(shù)水平，SiC‐MOSFET的MOS 溝道部分的遷移率比較低，所以溝道部的阻抗比Si 器件要高。因此，越高的門(mén)極電壓，可以得到越低的導(dǎo)通電阻（Vgs=20V 以上則逐漸飽和）。如果使用一般IGBT 和Si‐MOSFET 使用的驅(qū)動(dòng)電壓Vgs=10～15V 的話，不能發(fā)揮出SiC 本來(lái)的低導(dǎo)通電阻的性能，所以為了得到充分的低導(dǎo)通電阻，推薦使用Vgs=18V 左右進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。Vgs=13V 以下的話，有可能發(fā)生熱失控，請(qǐng)注意不要使用。
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| SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器示例 - http://www.qingdxww.cn/thread-838162-1-1.html |
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碳化硅MOS管-SiC MODULE產(chǎn)品技術(shù)應(yīng)用簡(jiǎn)介https://pan.baidu.com/s/1YVCvtntZntvY2XDpC5uuFw提取碼g4yd 國(guó)產(chǎn)碳化硅 |
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