IRLR3110ZPBF-VB_MOSFET產(chǎn)品應(yīng)用與參數(shù)解析

VBsemi

IRLR3110ZPBF( VBE1101N）
參數(shù)描述：
N溝道,100V,70A,RDS(ON),9mΩ@10V,20mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；3.2Vth(V)；TO252
型號(hào)參數(shù)介紹：
IRLR3110ZPBF (VBE1101N)參數(shù)說明：N溝道，100V，70A，導(dǎo)通電阻9mΩ@10V，20mΩ@4.5V，門源電壓范圍20V(±V)，閾值電壓3.2V，封裝：TO252。
應(yīng)用簡(jiǎn)介：IRLR3110ZPBF適用于高功率N溝道MOSFET，常見于電源開關(guān)、電機(jī)控制和逆變器等領(lǐng)域模塊。
其極低的導(dǎo)通電阻使其在低電壓降場(chǎng)景中性能卓越。
優(yōu)勢(shì)與適用領(lǐng)域：適用于高功率應(yīng)用，如電源開關(guān)、電機(jī)控制和逆變器等模塊。
極低的導(dǎo)通電阻有助于降低功率損耗，提高效率。