大聯(lián)大旗下詮鼎推出基于英諾賽科（Innoscience）InnoGaN器件-INN650TA030AH、INN650TA070AH和INN650D080BS芯片的2KW PSU服務(wù)器電源方案。
圖示1-大聯(lián)大詮鼎基于Innoscience產(chǎn)品的2KW PSU服務(wù)器電源方案的展示板圖 近年來，工業(yè)領(lǐng)域?qū)aN的需求逐步攀升。根據(jù)AKCP機構(gòu)測算，2023年網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、通信設(shè)備以及數(shù)據(jù)中心等的能耗將占全球總用電量的21%左右，成為了實現(xiàn)“碳中和”目標最大的挑戰(zhàn)之一。其中，海量的數(shù)據(jù)需求將繼續(xù)加快數(shù)據(jù)中心的建設(shè)速度。因此，具備更高效率和更高功率密度的解決方案成為數(shù)據(jù)中心供電系統(tǒng)的迫切需求。在此趨勢下，大聯(lián)大詮鼎基于Innoscience InnoGaN器件-INN650TA030AH、INN650TA070AH、和INN650D080BS芯片推出2KW PSU服務(wù)器電源方案，旨在利用先進的GaN器件助力服務(wù)器電源實現(xiàn)更出色的能效。
圖示2-大聯(lián)大詮鼎基于Innoscience產(chǎn)品的2KW PSU服務(wù)器電源方案的場景應(yīng)用圖 本方案采用Innoscience旗下InnoGaN 650V GaN芯片實現(xiàn)功率轉(zhuǎn)換，其中，PFC慢橋臂采用2顆INN650TA030AH，其采用Toll封裝、導(dǎo)通電阻為30mΩ；PFC快橋臂采用2顆INN650TA070AH，其同樣采用Toll封裝，導(dǎo)通電阻為70mΩ；LLC橋臂采用4顆INN650D080BS，其采用DFN8*8封裝，導(dǎo)通電阻為80mΩ。與Si MOS相比，Innoscience產(chǎn)品具備低Qg、低Co（tr）以及無反向恢復(fù)損耗Qrr等特性。 通過效率測試，在輸入電壓230Vac/264Vac的條件下，本方案的最高效率可達到96.5%，能輕松滿足80 Plus鈦金級能效標準，進一步為數(shù)據(jù)中心提供高效電源。不僅如此，在通信電源、LED照明等應(yīng)用中，本方案同樣具備小體積、高效率的優(yōu)勢，具有廣泛的應(yīng)用前景。
圖示3-大聯(lián)大詮鼎基于Innoscience產(chǎn)品的2KW PSU服務(wù)器電源方案的方塊圖 Innoscience在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域進行了多年的產(chǎn)品布局，旗下?lián)碛袕那岸薖SU電源到主板DC/DC模塊，以及芯片直接供電的全鏈路解決方案。未來隨著GaN的優(yōu)越性能逐漸顯現(xiàn)，其相關(guān)技術(shù)將在更多應(yīng)用中大放異彩。在這個過程中，大聯(lián)大將與Innoscience攜手共進、共同開發(fā)先進的解決方案，助力客戶加快GaN技術(shù)的應(yīng)用。 核心技術(shù)優(yōu)勢： 高效率：在230Vac Vin下效率高達96.5%，符合80Plus鈦金級能效標準； 高功率密度：76W/in3； 1U標準尺寸：185mm×65mm×36mm（PCBA）。 方案規(guī)格： 效率：96.5%@230Vac（80 Plus鈦金級能效）； 功率密度：76W/in3； InnoGaN： INN650TA070AH *2； INN650TA030AH *2； INN650D080BS *4。 |
