射頻放大器CMPA2735015D、CMPA2560025D，PTMC210404MD-V2-R5適用于寬帶驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用

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射頻放大器CMPA2735015D、CMPA2560025D，PTMC210404MD-V2-R5適用于寬帶驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用，這些放大器我們大量（回收）（供應(yīng)）庫(kù)存，如有需求，請(qǐng)您聯(lián)系明佳達(dá)電子陳先生qq 1668527835 咨詢。
1、CMPA2735015D是一款基于氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。與硅或砷化鎵相比，GaN具有優(yōu)異的性能，包括更高的擊穿電壓、更高的飽和電子漂移速度和更高的熱導(dǎo)率。與Si和GaAs晶體管相比，GaN HEMT還提供更大的功率密度和更寬的帶寬。該MMIC包含兩級(jí)電抗匹配放大器設(shè)計(jì)方法，能夠?qū)崿F(xiàn)非常寬的帶寬。


描述：25W, GAN MMIC 射頻放大器 IC 通用 2.7GHz 至 3.5GHz 模具
頻率：2.7GHz ~ 3.5GHz
P1dB：-
增益：35dB
噪聲系數(shù)：-
射頻類型：通用
電壓 - 供電：50V
電流 - 供電：-
測(cè)試頻率：3.5GHz
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：模具
供應(yīng)商器件封裝：模具


2、CMPA2560025D是一款基于氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。與硅或砷化鎵相比，GaN具有優(yōu)異的性能，包括更高的擊穿電壓、更高的飽和電子漂移速度和更高的熱導(dǎo)率。與Si和GaAs晶體管相比，GaN HEMT還提供更大的功率密度和更寬的帶寬。該MMIC包含兩級(jí)電抗匹配放大器設(shè)計(jì)方法，能夠?qū)崿F(xiàn)非常寬的帶寬。

描述：25W, GAN MMIC 射頻放大器 IC 通用 2.5GHz 至 6GHz 模具
頻率：2.5GHz ~ 6GHz
P1dB：-
增益：23.1dB
噪聲系數(shù)：-
射頻類型：通用
電壓 - 供電：28V
電流 - 供電：-
測(cè)試頻率：6GHz
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：模具
供應(yīng)商器件封裝：模具


3、PTMC210404MD-V2-R5是一款寬帶、兩級(jí)LDMOS集成放大器，適用于寬帶驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用。它具有內(nèi)部匹配功能，可在1805至2200 MHz范圍內(nèi)工作。它具有片內(nèi)匹配、高效率和雙路獨(dú)立輸出，每路輸出功率為20 W。它采用14引腳塑料包覆成型封裝，引腳為鷗翼引腳。

描述：IC AMP GPS 1.805-2.2GHZ HB1DSO14
頻率：1.805GHz ~ 2.2GHz
P1dB：43.9dBm
增益：27.6dB
噪聲系數(shù)：-
射頻類型：通用
電壓 - 供電：0V ~ 32V
電流 - 供電：-
測(cè)試頻率：2.17GHz
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：14-PowerSMD 模塊
供應(yīng)商器件封裝：PG-HB1DSO-14-4


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