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SI4435DY-T1-E3-VB一款P溝道SOP8封裝MOSFET應用分析

發布時間：2024-1-10 15:37    發布者：VBsemi
關鍵詞： SI4435DY-T1-E3 , VBsemi , mosfet
SI4435DY-T1-E3 (VBA2317)參數說明:極性：P溝道；額定電壓：-30V；最大電流：-7A；導通電阻：23mΩ @ 10V, 29mΩ @ 4.5V, 66mΩ @ 2.5V；門源電壓范圍：20Vgs (±V)閾值電壓：-1.37V；封裝：SOP8

應用簡介：SI4435DY-T1-E3 (VBA2317) 是一款P溝道MOSFET，適用于中功率應用的開關控制。
具有低導通電阻，有助于降低功耗和熱量產生。
常用于電源開關、電機驅動、LED驅動等。
優勢：低導通電阻：有助于降低功耗，提高效率。
適用封裝：SOP8封裝適合需要中等功率控制的設計。
適用模塊：SI4435DY-T1-E3 (VBA2317) 適用于中功率開關控制模塊，如電源管理模塊、電機驅動模塊等。


SI4435DY-T1-E3.pdf

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SI4435DY-T1-E3
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