Vishay的新款80 V對稱雙通道 MOSFET的RDS(ON) 達到業(yè)內(nèi)先進水平，可顯著提高功率密度、能效和熱性能

發(fā)布時間：2024-3-14 17:45 發(fā)布者：eechina

節(jié)省空間型器件所需PCB空間比PowerPAIR 1212封裝分立器件減少50 %，有助于減少元器件數(shù)量并簡化設(shè)計

威世科技Vishay推出新型80 V對稱雙通道n溝道功率MOSFET---SiZF4800LDT，將高邊和低邊TrenchFET Gen IV MOSFET組合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR 3x3FS單體封裝中。Vishay Siliconix SiZF4800LDT適用于工業(yè)和通信應用功率轉(zhuǎn)換，在提高功率密度和能效的同時，增強熱性能，減少元器件數(shù)量并簡化設(shè)計。

日前發(fā)布的雙通道MOSFET可用來取代兩個PowerPAK 1212封裝分立器件，節(jié)省50%基板空間。器件為設(shè)計人員提供節(jié)省空間的解決方案，用于同步降壓轉(zhuǎn)換器、負載點（POL）轉(zhuǎn)換器、DC/DC轉(zhuǎn)換器半橋和全橋功率級，適用領(lǐng)域包括無線電基站、工業(yè)電機驅(qū)動、焊接設(shè)備和電動工具。這些應用中，SiZF4800LDT高低邊MOSFET提供50%占空比優(yōu)化組合，同時4.5 V下邏輯電平導通簡化電路驅(qū)動。

為提高功率密度，該MOSFET 在4.5 V條件下導通電阻典型值降至18.5 m，達到業(yè)內(nèi)先進水平。比相同封裝尺寸最接近的競品器件低16 %。SiZF4800LDT低導通電阻與柵極電荷乘積，即MOSFET功率轉(zhuǎn)換應用重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）為 131m*nC，導通電阻與柵極電荷乘積提高了高頻開關(guān)應用的效率。

器件采用倒裝芯片技術(shù)增強散熱能力，熱阻比競品MOSFET低54 %。SiZF4800LDT導通電阻和熱阻低，連續(xù)漏電流達36 A，比接近的競品器件高38 %。 MOSFET獨特的引腳配置有助于簡化PCB布局，支持縮短開關(guān)回路，從而減小寄生電感。SiZF4800LDT經(jīng)過100% Rg和UIS測試，符合RoHS標準，無鹵素。

競品對比表：

產(chǎn)品編號		SiZF4800LDT (新品)	競品	SiZF4800LDT
產(chǎn)品編號		SiZF4800LDT (新品)	競品	性能改進型
封裝		PowerPAIR 3x3FS	PowerPAIR 3x3FS
尺寸 (mm)		3.3 x 3.3 x 0.75	3.3 x 3.3 x 0.75	-
配置		對稱雙通道	對稱雙通道	-
VDS (V)		80	80	-
VGS (V)		± 20	± 20	-
RDS(on) (mΩ) @ 4.5 VGS	典型值	18.5	22	16%
RDS(on) (mΩ) @ 4.5 VGS	最大值	23.8	29	18%
Qg (nC) @ 4.5 VGS	典型值	7.1	6	-
FOM	-	131	132	1%
ID (A)	最大值	36	26	38%
RthJC (C/W)	最大值	2.2	4.8	54%

SiZF4800LDT現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為26周。

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