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根據集邦科技(TrendForce)旗下研究部門 DRAMeXchange 的調查， 2012年1月上旬 DRAM 合約價仍以持平價位開出， DDR3 4GB均價固守16.5美元， DDR3 2GB均價則維持在9.25美元，但整體成交量已從低價區漸漸轉向平均價格移動。 除了減產效應于第一季正式發酵，目前合約價格仍屬歷史低價，部份 PC OEM 廠已緩步拉高庫存水位，并開始接受較高價格的合約價；加上硬碟短缺問題在第一季陸續獲得紓解，PC出貨將在2月后將回復正常。集邦科技認為，只要DRAM廠不要因短期顆粒價格上漲而貿進將產能恢復，預估今年DRAM價格在2月后起漲可能性高。 在現貨市場方面，雖然 DDR3 2Gb現貨價格自 2011年12月初0.72美元起漲至今來到0.97美元，不光顆粒價格逼近金1美元價位，漲幅亦高達35%，但現貨市場規模逐漸萎縮卻是不爭的事實，其中不外乎筆電已搭載足量的記憶體，近幾年升級市場的衰退亦是其中主因，現貨市場產值從早期2004年約囊括整體 DRAM 市場的50%，大幅衰退至2011年的15%左右。平心而論，現貨價格對于DRAM市場仍具影響力，對于合約價格上漲也有一定助力。 綜觀整體DRAM市場的獲利關鍵，幾乎都是來自于產能的擴充與制程不斷的再精進，集邦科技表示，從早期的90nm、65nm制程至今已來到30nm、甚至20nm制程，制程的微縮雖使成本持續下降，但同時伴隨著是顆粒數的高成長，加上近年PC出貨年成長大幅趨緩，記憶體搭載容量亦失成長動能，DRAM產業因需求力道不再強勁，獲利難度越來越高。 集邦科技預估，2012年DRAM市場的發展將會產生重大的變革；首先，DRAM產能的擴充將漸趨理性，加上轉進20nm難度極高、且需要高額的資本支出購買 EUV 等先進機臺，即使龍頭三星半導體(Samsung)亦不得不在制程精進上放慢腳步。因此集邦科技預估，今年整體DRAM的年供給位元成長率僅有22%，較前數年動輒50%的年成長已大幅趨緩。 不幸的是，供給位元的減緩并不足以代表整體DRAM產業供過于求的頹勢獲得即時紓解，而是代表各DRAM廠獲利的關鍵必須轉向核心技術開發能力再作競爭，例如隨著智慧型手機與平板電腦的興起，帶動行動式記憶體的需求，如已在2011年第四季成為行動式記憶體出貨主流LPDDR2，或者是2012下半年即將量產的LPDDR3，甚至是Wide-IO與LPDDR4，能夠擁有核心技術的DRAM廠便是獲利贏家。 同時，云端需求的興起亦使原本深耕于伺服器記憶體的DRAM廠獲益，DDR3的4Gb-Mono顆粒成為另一個獲利指標。集邦科技表示，甚至在標準型DRAM上，今年亦有許多產品以DDR3為基礎上再進化，如著眼于 Ultrabook 的興起，為了精進省電效能以延長使用時效，廠商已開發出低電壓版的DDR3L，在省電機制的強化上亦發展出DDR3M的產品，甚至有廠商有考慮將GDDR導入標準型記憶體中，在繪圖上與游戲上可以有比標準型記憶體更佳的表現。 集邦科技預期， DRAM 廠在后續的獲利競賽仍有一番激烈競逐，落后者勢必逐漸將產能退出，唯擁有核心技術力的DRAM廠才有機會在后續市場中持續獲利與生存。 |
