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來(lái)源：EXPreview 目前全球每天產(chǎn)生的數(shù)據(jù)量是非常龐大的，通過(guò)HDD和SSD存儲(chǔ)在大容量的服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心里，不過(guò)SSD在讀/寫(xiě)速度、能耗和設(shè)備尺寸上都優(yōu)于HDD，使得SSD正逐步取代HDD。SSD單位成本的擴(kuò)展，其中一個(gè)原因歸功于在存儲(chǔ)單元上堆疊更多的層數(shù)。 
據(jù)Xtech Nikkei報(bào)道，鎧俠首席技術(shù)官Hidefumi Miyajima在東京城市大學(xué)舉行的第71屆應(yīng)用物理學(xué)會(huì)春季會(huì)議上表示，計(jì)劃到2031年開(kāi)始批量生產(chǎn)超過(guò)1000層的3D NAND閃存芯片。 增加3D NAND器件中有源層的數(shù)量是目前提高閃存記錄密度的最佳方法，因此所有3D NAND閃存制造商每1.5至2年就通過(guò)新的制程工藝節(jié)點(diǎn)來(lái)實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。不過(guò)每個(gè)新的制程工藝節(jié)點(diǎn)都會(huì)有一些挑戰(zhàn)，由于3D NAND閃存需要在存儲(chǔ)單元上堆疊更多層數(shù)，那么也要在橫向和縱向上縮小存儲(chǔ)單元，其中會(huì)采用新的材料，對(duì)于廠商研發(fā)上會(huì)有一定的難度。 目前鎧俠最好的是去年推出的第8代BiCS 3D NAND閃存，為218層。為此鎧俠和西部數(shù)據(jù)還開(kāi)發(fā)了CBA（CMOS directly Bonded to Array）技術(shù)，將每個(gè)CMOS晶圓和單元陣列晶圓都是在其最優(yōu)狀態(tài)下單獨(dú)制造的，然后粘合在一起，以提供增強(qiáng)的位密度和快速的NAND I/O接口速度。通過(guò)創(chuàng)新的橫向收縮技術(shù)，將位密度提高了50%以上，NAND I/O接口速度超過(guò)了3.2Gb/s，比上一代產(chǎn)品提高了60%。 鎧俠應(yīng)該會(huì)沿用目前的工藝技術(shù)路線，開(kāi)發(fā)1000層的3D NAND閃存芯片。 |
