|
來源：大半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng) 據(jù)天府絳溪實(shí)驗(yàn)室官微消息，近日，電子科技大學(xué)信息與量子實(shí)驗(yàn)室、天府絳溪實(shí)驗(yàn)室量子互聯(lián)網(wǎng)前沿研究中心與清華大學(xué)、中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所合作，在國際上首次研制出氮化鎵量子光源芯片，這是電子科技大學(xué)“銀杏一號(hào)”城域量子互聯(lián)網(wǎng)研究平臺(tái)取得的又一項(xiàng)重要進(jìn)展，也是天府絳溪實(shí)驗(yàn)室在關(guān)鍵核心技術(shù)領(lǐng)域取得的又一創(chuàng)新成果。 據(jù)悉，研究團(tuán)隊(duì)通過迭代電子束曝光和干法刻蝕工藝，攻克高質(zhì)量氮化鎵晶體薄膜生長、波導(dǎo)側(cè)壁與表面散射損耗等技術(shù)難題，在國際上首次將氮化鎵材料運(yùn)用于量子光源芯片。目前，量子光源芯片多使用氮化硅等材料進(jìn)行研制，與之相比，氮化鎵量子光源芯片在輸出波長范圍等關(guān)鍵指標(biāo)上取得突破，輸出波長范圍從25.6納米增加到100納米，并可朝著單片集成發(fā)展。 此項(xiàng)研究工作得到國家科技創(chuàng)新2030重大項(xiàng)目、國家自然科學(xué)基金、四川省科技計(jì)劃等大力支持。近日，以“Quantum Light Generation Based on GaN Microring toward Fully On-Chip Source”為題，發(fā)表在國際著名學(xué)術(shù)期刊《物理評(píng)論快報(bào)》上，并被選為“物理亮點(diǎn)”進(jìn)行重點(diǎn)宣傳報(bào)道。 據(jù)了解，天府絳溪實(shí)驗(yàn)室量子互聯(lián)網(wǎng)前沿研究中心聚力攻關(guān)量子互聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域關(guān)鍵核心技術(shù)。當(dāng)前，中心正在加快布局城域量子互聯(lián)網(wǎng)、量子人工智能、量子信息器件等產(chǎn)業(yè)方向，大力推動(dòng)量子賦能新質(zhì)生產(chǎn)力在政務(wù)、金融、醫(yī)療、健康等領(lǐng)域的應(yīng)用落地，堅(jiān)定厚植量子科技的前沿研究和創(chuàng)新應(yīng)用。 |
